一、材料选择与预处理

1. 原材料预处理

去除表面污染：

机械加工后的金属试片用丙酮、乙醇超声清洗10-15 分钟，去除油污和切削液。

半导体材料需用“RCA 标准清洗法”（H₂O₂+NH₄OH+H₂O 混合液）去除硅片表面的有机物和金属离子。

消除应力与组织缺陷：

金属试片可通过退火处理（如不锈钢在800℃退火 1 小时）消除加工应力，改善晶粒均匀性。

二、成型与切割工艺

1. 尺寸与形状设计

典型规格：

圆形：直径5-20mm，厚度 1-3mm（便于封装和电极引线焊接）。

方形：10mm×10mm×2mm（适用于表面形貌表征或大面积测试）。

特殊需求：

研究边缘效应时，可加工成带凹槽或台阶的试片；电化学阻抗谱（EIS）测试需保证试片表面平整，减少界面电容干扰。