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不同键合参数下的QFN封装可靠性:基于推拉力测试数据的对比研究

提供者:苏州科准测控有限公司   发布时间:2025/6/11 15:28:35  阅读次数:302次  进入该公司店铺

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李**
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随着电子设备向小型化、高性能化方向发展,集成电路封装技术面临着所未有的挑战。QFN(Quad Flat No-lead)封装因其优yi的散热性能、小型化尺寸和良好的电性能,在高duan电子产品中得到了广泛应用。然而,随着封装尺寸的不断缩小和功率密度的持续提高,封装可靠性问题日益突出,特别是铜线键合与塑封材料的匹配性问题已成为制约QFN封装可靠性的关键因素。

本文科准测控小编将重点从力学性能角度分析FSF和FSFF两种键合模式对QFN封装可靠性的影响,结合Beta S100推拉力测试机等检测设备,系统评估了键合界面的力学特性及其在可靠性测试中的表现,为高可靠性QFN封装的设计与制造提供了重要参考。

一、力学性能分析原理

1、键合界面力学原理

铜线键合过程本质上是通过机械力(压力)和超声波能量共同作用,在铜球与铝焊盘之间形成可靠的冶金连接。这一过程中涉及多种力学现象:

塑性变形:键合压力使铜球和铝焊盘发生塑性变形,增加接触面积

摩擦焊接:超声波振动产生微观摩擦,破坏表面氧化层,促进金属间扩散

金属间化合物(IMC)形成:Cu-Al界面在热力学驱动下形成多种成分的IMC层

2、键合强度评价标准

根据JESD22-B116B和MIL-STD-883K标准,键合界面的力学性能主要通过以下参数评价:

焊球推力(Ball Shear):评估焊球与焊盘之间的结合强度

焊线拉力(Wire Pull):评估键合线与焊球/第二键合点之间的连接强度

弹坑测试(Crater Test):评估键合过程对下层硅芯片的损伤程度

二、实验设备与方法

1、Beta S100推拉力测试仪

A、设备介绍

Beta S100推拉力测试机是一款为微电子封装行业设计的高精度测试设备。它能够满足多种封装形式的测试需求,包括QFN、BGA、CSP、TSOP等,并支持静态和动态的拉力、推力及剪切力测试。其广泛的应用范围覆盖了半导体封装、LED封装、光电子器件、PCBA电子组装、汽车电子以及航空航天等多个域。

B、核心优势

a、高精度测量

采用xian进的传感器技术和自主研发的数据采集系统,Beta S100能够提供高精度的测试数据,确保测试结果的可靠性和重复性。

b、多功能设计

设备支持多种测试模块的更换,用户可根据具体需求选择合适的模块。系统会自动识别并调整到zui佳量程,大地提高了设备的灵活性和适用性。

c、智能化操作

配备用软件,操作界面简洁直观,功能强大。设备自带SPC(统计过程控制)等多种数据统计功能,支持多种数据输出格式,便于用户进行数据分析和报告生成。

d、自动化测试

Beta S100配备智能视觉系统和深度学习技术,可自动识别测试位置,减少人工误差,提高测试效率和准确性。

2、推刀或钩针

3、常用工装夹具

四、测试流程

步骤一、样品制备

塑封后样品经研磨抛光制备键合界面切片

激光开盖露出键合点用于拉力测试

步骤二、焊球推力测试

根据JESD22-B116B标准设置测试参数

剪切工具距离芯片表面10μm

剪切速度200μm/s

记录zui大剪切力及失效模式

步骤三、焊线拉力测试

钩子置于键合线中点位置

拉力方向垂直于芯片表面

拉伸速度200μm/s

记录zui大拉力及断裂位置

步骤四、弹坑测试

去除焊球后观察铝焊盘残留情况

评估硅基板损伤程度

步骤五、力学性能测试结果与分析

1、键合模式对力学性能的影响

通过Beta S100推拉力测试机获得的测试数据显示:

2、失效模式分析

BHAST测试中FSF模式失效样品的力学分析显示:

失效位置:全部发生在Cu-Al界面

IMC形貌:呈现多孔状腐蚀特征

力学性能退化:失效样品推力值下降30-40%

而FSFF模式样品在所有可靠性测试中均未出现力学性能退化,表明其界面具有更好的环境稳定性。

以上就是小编介绍的有关于铜线键合模式和塑封料对QFN 封装可靠性的影响相关内容了,希望可以给大家带来帮助!如果您还想了解更多关于推拉力测试机怎么使用视频和图解,使用步骤及注意事项、作业指导书,原理、怎么校准和使用方法视频,推拉力测试仪操作规范、使用方法和测试视频,焊接强度测试仪使用方法和键合拉力测试仪等问题,欢迎您关注我们,也可以给我们私信和留言,【科准测控】小编将持续为大家分享推拉力测试机在锂电池电阻、晶圆、硅晶片、IC半导体、BGA元件焊点、ALMP封装、微电子封装、LED封装、TO封装等域应用中可能遇到的问题及解决方案。

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