作为光刻工艺中zuì重要设备之一，接触式光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。了解提高接触式光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。
光刻意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
接触式光刻机是集成电路芯片制造的关键核心设备。光刻机是微电子装备的，技术难度zuì高，单台成本zuì大。
接触式光刻机的种类：
接触式曝光：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。
1、软接触：就是把基片通过托盘吸附住，掩膜盖在基片上面；
2、硬接触：是将基片通过一个气压，往上顶，使之与掩膜接触；
3、真空接触：是在掩膜和基片中间抽气，使之更加好的贴合。
接触式光刻机的涂胶工艺：
要制备光刻图形，首先就得在芯片表面制备一层均匀的光刻胶。 在涂胶之前，对芯片表面进行清洗和干燥是*的。
目前涂胶的主要方法有：甩胶、喷胶和气相沉积 ，但应用zuì广泛的还是甩胶。甩胶是利用芯片的高速旋转，将多余的胶甩出去，而在芯片上留下一层均匀的胶层，通常这种方法可以获得优于+2%的均匀性。胶层厚度和转速、时间、胶的特性都有关系，此外旋转时产生的气流也会有一定的影响。
甩胶的主要缺陷有：气泡、彗星、条纹、边缘效应等，其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。
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