半导体芯片冷热冲击试验方法高低温冲击试验箱：

目的：

芯片在生产过程中，需要对其进行冷热冲击试验。一般情况下，民用芯片的正常工作温度范围是0℃-70℃，其他芯片性能更高，正常工作温度范围是-55℃-125℃。以上温度范围都是芯片工作下的温度范围，当芯片不工作时，可以承受超过 200℃ 的焊接温度。

试件：

将试件芯片通电置于置物架上;

根据要求设定试验温度:

首先对试件进行低温试验，再进行高温试验，循环次数依要求进行:记录半导体芯片工作状态下，在设定温度下的相关参数，对产品分析，工艺改进以及批次的定向品质追溯提供确实的数据依据。

试件从低温或是高温试验开始，不同标准有不同的解析。若试验从低温段开始，试验结束在高温段，若试验从高温段开始，结束在低温段。为防止试件在试验结束后表面产品凝露，试验结束在低温段时需要增加烘干恢复的过程，这样就增加了试验周期，建议试验从低温段开始，结束在高温段。

温度范围：-65℃～150℃

低温冲击：-40℃，-55℃，-65℃

高温冲击：65℃，85℃，125℃

温度冲击时间小于3min，1min

温度保持时间30min，60min

测试时间不能少于1000个循环

热压器/无偏压 HAST测试 参考标准：JESD22-A118

温度范围：100℃～143℃

湿度范围：70%RH～100%RH

压力范围：0.5kg～3.5kg

测试时间不能少于200小时，具体根据用户实际要求，有些需要达到500小时到1000小时等不同时间

其他测试标准：GB/T 2423.1-2001 试验A：低温试验方法，试验B：高温试验方法，GJB 150.3-1986 高温试验， 低温试验， GB 11158《高温试验箱技术条件》， IEC60068-2-14 等测试标准。