当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。如图所示，若在X方向上通以电流Is，在Z方向上加磁场B，半导体中载流子（电子）将受到洛伦兹力，则在Y方向上半导体两侧产生附加电场－－-霍尔电场。

将某种半导体材料的霍尔元器件置于待测磁场的相应位置，并使元件平面与磁感应强度B垂直（磁感应强度可由励磁装置提供，恩智NGI 2600系列源表提供励磁电流Im），由NGI N2600源表在其控制端输入恒定工作电流Is，霍尔电压输出端测量霍尔电势UH的值。其次，N2600系列源表可提供1、3象限电流源，使控制端输入电流可正反向，励磁电流正反向也可使励磁磁场正反向。

测试数据处理与分析：

在励磁电流Im=0.80000A时，霍尔电压UH与Is的测量数据与关系曲线如下：

表1 UH-Is Im=0.80000A

N2600系列高精密数字源表还采用七档电流范围设置，可以将接收的数据误差降到很低；源表扫描速度可达1ms每点，能快速的建立扫描，缩短测试时间，有效减少待测物的热磁效应，可以满足霍尔效应测试需求。