在线讲座：QCM-D技术在CMP清洁中的应用

在化学机械平面化（CMP）和CMP后清洁期间会使用几种不同的浆料和基底材料。随着半导体行业不断变化的需求，从根本上了解这些材料之间是如何相互作用是非常重要的。这就是具有耗散的石英晶体微天平（QCM-D）可以提供帮助的地方。 QCM-D可用于了解不同浆料组分是如何与特定基材进行实时的化学相互作用。

以苯并三唑（BTA）作为浆料配方中Cu互连的腐蚀抑制剂为例，说明一下QCM-D实时监测。 QCM-D可用于量化吸附在Cu表面上的BTA的量。另外，可以用于CMP后清洁步骤中通过乙酰羟肟酸（AHA）去除BTA的量化。另外，二氧化硅或二氧化铈粒子通常用于介电CMP浆料配方中，以及它们的表面质量负载和随后通过清洁去除过程中的量化也可以通过QCM-D实现。

Nanoscience Instruments的Matthew Dixon博士将详细介绍QCM-D的理论以及它如何用于与CMP应用相关的过程的量化。

在讲座中，您将了解到：

Ø 了解QCM-D技术的工作原理。

Ø 发现可用的不同配置。

Ø 深入了解与集成电路设计中的CMP相关的特定应用示例。

时间：2019年6月12日北京时间：凌晨12:00 -1:00

注册报名链接：https://register.gotowebinar.com/register/6707003736035451405?source=Website