硅压力传感器芯片的功能受温度的影响十分大，首要表现为零点和活络度随温度改变而发作漂移，发作漂移的根本原因在：在技能制作中，构成惠斯登电桥的四个电阻条的表面掺杂浓度和分散电阻条宽度不可能完全一致，致使四个电阻的阻值不完全持平，温度系数不持平，致使当输入压力为0时，电桥输出不为0，一起该输出随温度的改变而发作漂移，即零点温度漂移;半导体的温度特性致使压阻系数随温度改变，致使压力活络也随温度发作漂移;此外，后道工序的芯片与玻璃的静电封装、粘接、硅油及容腔规划等都会附加温度影响。综上要素，对封装后的压力传感器（不带温补芯体）的抵偿包含零点偏移校准、零点温度漂移抵偿和活络度温度抵偿。

对现已封装好的压阻式压力传感器的温度抵偿一般是在其桥臂串并联电阻等办法来完结。而这些办法只能用于精度较低的场合。因为抵偿电阻与压力传感器中惠斯登电桥的电阻系数不一致，测验也对比艰难，所以无论哪种温度抵偿方式都无法到达杰出的作用，关于请求较高的使用领域（如医疗设备、气动操控等）这些抵偿办法很难完结。因而，压力传感器的温度抵偿一直是困惑用户的难题地点，也是压力传感器研讨和出产的一个要害技能疑问。

其次是微压、低压传感器的制作技能和技能对比高，所涉及到的制作设备十分贵重。如今市道低压量程压力传感器对比少，价格不菲。与之相反，高压量程的压力传感器的制作本钱却对比低。所以，微压、低压传感器的精度和价格也是用户所担忧的疑问。

最终是压力传感器晶圆的封装技能现已成为MEMS出产中的瓶颈。MEMS商品早期的封装技能大多数是借用半导体IC领域中现成的封装技能，不过，因为各类商品的运用范围和使用环境的差异，其封装也没有一致的方式，应根据详细的运用情况挑选恰当的封装方式。一起，在MEMS商品的制作过程中，封装只能单个进行而不能大批量一起进行。封装在MEMS商品总费用中约占有40%-60%的份额，封装技能已成为MEMS出产中的要害技能之一。一般MEMS商品的量对比小，代工厂就不情愿进行MEMS商品的封装和测验，绝大多数压力传感器的封装都由国外完结。因而，压力传感器的封装是不是牢靠也是用户担忧地点。