四探针测试仪工作流程及原理
四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试专用仪器

四探针测量原理如图（2)所示：

将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上，在l、4探针间通以电流I(mA)，2、3探针间就产生一定的电压V(mV)(如图1)。测量此电压并根据测量方式和样品的尺寸不同，计算样品的电阻率或方块电阻:

图（2）直线四探针法测试原理图


本仪器可满足半导体材料、器件的研究生产单位对材料(棒材、片材)电阻率及扩散层、离子注入层、异型外延层和导电薄膜方块电阻测量的需要
四探针测试仪工作流程及原理

测试薄层方块电阻R_□：

计算公式：R_□=V/I×F(D/S)×F(W/S)×Fsp (Ω/□)

选取测试电流I：I=F(D/S)×F(W/S)×Fsp 然后计算出测试电流值：I=A.BCD