提供者：深圳市优源达电子有限公司 发布时间：2012/9/4 17:41:33 阅读次数：460次 进入该公司店铺
结构概念
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，如图1所示。其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。
IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。
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