晶闸管少子寿命测试仪主要技术参数:
少子寿命测量范围:0.1-99us外形尺寸:440X×440×150mm整机重量:10kg
晶闸管少子寿命测试仪用于测试可控硅或PN结(二极管)的长基区少子寿命。数字显示测试结果,自动测试。
晶闸管测试仪主要技术参数:
断态峰值电压VDM : 0-2000V;电压临界上升率dV/dt: 30-1000V/us外形尺寸:440×440×150mm整机重量:15kg
晶闸管测试仪用于测试普通可控硅、双向可控硅、快速可控硅和可控硅模块的断态电压临界上升率dV/dt。数字显示断态峰值电压VDM
晶闸管测试仪主要技术参数:峰值电流测量范围: 30-3000A峰值压降测量范围: 0-7V外形尺寸: 440×440×150mm 2箱整机重量: 35kg
晶闸管测试仪使用范围:◇ 用于测试普通可控硅、双向可控 硅、快速可控硅、可控硅模块的 通态峰值电流ITM和峰值压降VTM◇ 用于测试整流管的正向峰值电流 IFM和峰值压降VFM。 数字显示测试结果,自动测试。 通态峰值电流值测试前可设定,并具有良好的测试重复性。
晶闸管伏安特性测试仪主要技术参数:
正向断态和反向阻断电压测量范围:0-6000V正向断态和反向阻断电流测量范围: 0-199mA保护电流设定:0-199mA外形尺寸:440×440×150mm整机重量:15kg
晶闸管伏安特性测试仪用于测试普通可控硅、快速可控硅、双向可控硅、可控硅模块、整流管参数;数字显示测试结果。对被测器件具有保护功能。 注: 保护电流值大小根据需要自行设定。
晶闸管伏安特性测试仪主要技术参数:
正向断态和反向阻断电压测量范围:0-3000V正向断态和反向阻断电流测量范围:0-99mA 保护电流设定:0-99mA 外形尺寸:440×440×150mm整机重量:15kg
晶闸管伏安特性测试仪用于测试普通可控硅、快速可控硅、双向可控硅、可控硅模块、整流管参数,数字显示测试结果。对被测器件具有保护功能。 注:保护电流值大小根据需要自行设定。
晶闸管测试仪主要技术参数:
测量范围: 触发电流1-450mA; 触发电压0-7V; 维持电流1-450mA。外形尺寸:440×440×150mm整机重量:10kg
晶闸管测试仪用于测试普通可控硅、双向可控硅、快速可控硅和可控硅模块的参数。
单晶少子寿命测试仪 非平衡少数载流子寿命测定仪
型号:SN/LT-2
北京SN/LT-2单晶少子寿命测试仪操作方法是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。 | ||||||||||||||||||||||||
北京SN/LT-2单晶少子寿命测试仪操作方法本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。 | ||||||||||||||||||||||||
北京SN/LT-2单晶少子寿命测试仪操作方法技 术 指 标: | ||||||||||||||||||||||||
|
单晶少子寿命测试仪 非平衡少数载流子寿命测试仪
型号:SN/LT-3
*.北京SN/LT-3单晶少子寿命测试仪说明书下载该仪器参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于 测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命;*.测试单晶电阻率范围: >0.3Ω.cm;*.可测单晶少子寿命范围: 1μS-10000μS;*.配备光源类型:红外光源,波长:1.09μm; 余辉<1 μS;闪光频率为:20-30次/秒;*.前置放大器:放大倍数约25;*.测量方式:采用对标准曲线读数方式;北京SN/LT-3单晶少子寿命测试仪说明书下载
*.北京SN/LT-3单晶少子寿命测试仪说明书下载该仪器参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于 测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命;*.测试单晶电阻率范围: >0.3Ω.cm;*.可测单晶少子寿命范围: 1μS-10000μS;*.配备光源类型:红外光源,波长:1.09μm; 余辉<1 μS;闪光频率为:20-30次/秒;*.前置放大器:放大倍数约25;*.测量方式:采用对标准曲线读数方式;
*.该仪器参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于 测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命;*.测试单晶电阻率范围: >0.3Ω.cm;*.可测单晶少子寿命范围: 1μS-10000μS;*.配备光源类型:红外光源,波长:1.09μm; 余辉<1 μS;闪光频率为:20-30次/秒;*.前置放大器:放大倍数约25;*.测量方式:采用对标准曲线读数方式;
单晶少子寿命测试仪 硅单晶非平衡少数载流子寿命测量仪
型号JC03-LT-3
特点:
该仪器参考美国A.S.T.M标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命;
测试单晶电阻率范围:>0.3Ω.cm;
可测单晶少子寿命范围:1μS-10000μS;
配备光源类型:红外光源,波长:1.09μm;
余辉<1μS;闪光频率为:20-30次/秒;
前置放大器:放大倍数约25;
测量方式:采用对标准曲线读数方式;