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详细内容
IGBT测试仪
天光测控-二极管IGBT和MOSFET的静态参数测试仪
分立器件测试仪
概述：EN-3020B型分立器件测试仪是用于二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的标准、军标，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。
系统特点：
功率源 3000V/200A
测试系统整体采用计算机操控
测试数据由计算机记录，并进行 Excel 处理
采用脉冲法测试，脉宽为国军标
自动化程度高（可按设定的程序自动测试）
测试灵活（完美应对器件及多单元模块测试）
Labview 平台开发，数据编辑处理功能强，菜单式，模块化，人机友好设备操作简单、性能稳定非常适合电气，电子类厂商, 研究所做 IQC 来料检验、器件选型，失效分析以及学校教学和轨道机车地铁高铁检测使用。
●天光测控-二极管IGBT和MOSFET的静态参数测试仪
规格环境
尺寸：250×570×280（mm）
质量：15kg
环境温度：15~40℃
工作电压；AC220V±10%（无严重谐波）
电网频率：50Hz
通信接口；USB RS232
功能单元 参数指标
基本参数 功率源：3000V/200A
栅极-发射极漏电流 IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA
IGES 集电极电压VCE: 0V
栅极电压 Vge: 5-40V±3%±0.1V
集电极电压VCES: 200-3000V±2%±10V
集电极-发射极电压 集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA
栅极电压 Vge: 0V
集电极-发射极饱和 VCESat:0.1-5V±2%±0.01V
电压VCESat 栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE: 10-100A±2%±1A
集电极-发射极截止 集电极电压VCE: 200-3000V±3%
集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA
电流ICES
栅极电压VGE: 0V
栅极-发射极阈值电 VGEth: 1-10V±2%±0.1V
压 Vce=15V
二极管压降测试 VF: 0.1-5V±2%±0.01V
IF:5-100A±2%±1A
Vge: 0V
反向击穿BVR BVR：200-3000V±2%±10V
反向漏电流IR IR：0.1-10mA±3%±0.01mA
导通电阻RDS（on） 1-10mΩ±2%±0.1 mΩ
10-50mΩ±2%±0.5 mΩ
关键词：IGBT测试仪 MOSFET测试仪 二极管测试仪
被动循环试验台（TC）
被动循环试验台（TC）
可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的热特性
包括 功率循环·秒级&分 更多详细稳态热阻测试仪（Rth）
稳态热阻测试仪
可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的热特性
包括 功率循环·秒级&分钟级/P 更多详细瞬态热阻抗测试仪
瞬态热阻抗测试仪
可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的热特性
包括 功率循环·秒级&分钟级/ 更多详细晶体管图示仪
可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数
（测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）
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