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详细内容
赫尔纳供应英国Jandel四探针探头电阻率测量
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英国Jandel四探针探头产品介绍:
Jandel Engineering Limited是一家成立于1967年的英国私营企业,总部位于伦敦北部卢顿附近的Leighton Buzzard 。公司创始人John Clark曾在伦敦A&M Fell公司工作期间,与同事共同设计了款商用四探针探头——“Fell”探头 。Jandel成立初期的产品是电解式湿度计单元,至今仍是英国该配件的生产厂家 。1968年,公司进入半导体行业,开始设计和制造手动操作的半导体和薄膜测量系统以及电子式电流电压表 。经过五十余年的发展,Jandel已成为四探针测试仪和电阻率测量领域的技术型企业,其探头产品由经过至少六年培训的经验丰富的工程师手工制造 。公司主要服务于半导体行业、大学实验室及研究应用,提供高质量的探头探针和台式电阻率测量设备 。
主要产品:
四探针探头
可调节高度自动探头(AFPP)
手动探针台
电阻率测量设备(如RM3000)
电解湿度计电池
探针
主要型号:
AFPP (可调节高度自动探头)
cartridge型四探针探头
KLA兼容探头
CDE ResMap兼容探头
AIT兼容探头
Napson兼容探头
Veeco兼容探头
Alessi兼容探头
产品介绍:
四探针探头(Four-Point Probe Heads)
Jandel的四探针探头是其核心产品,用于测量材料的薄层电阻和体电阻率 。
技术参数:
探针间距:可选0.500mm、0.635mm、1.00mm、1.27mm、1.591mm(公差±10µm)。
探针排列:线性排列或方形(矩形)排列。
探针针尖材质:标准为碳化钨(直径0.4mm),可选50%锇合金。
针尖半径曲率:可选12.5µm、25µm、40µm、100µm、150µm、200µm、300µm、500µm。
针尖压力:每根探针的压力可在10g至250g之间设定。
平面度:针尖平面度可达±0.025mm或更好。
绝缘电阻:在500V电压下,两针之间的电阻高达10¹³Ω。
导向结构:上下导向装置均采用宝石轴承,确保探针平滑垂直移动。
工作原理:四探针技术基于四点接触测量原理。外侧两个探针通以恒定电流,内侧两个探针测量电压,通过电压与电流的比值结合样品几何修正系数,计算出材料的电阻率或薄层电阻。
AFPP (可调节高度自动探头)
AFPP是一款专为四点探针测量设计的自动Z轴运动装置,可与探针台配合使用 。
技术参数:
可测晶片直径:≤300mm。
可测样品厚度:≤250mm(可定制更高)。
控制方式:具有样品接触传感器,可实现自动停止;支持手动和远程控制。
电源:可使用独立电源适配器,或通过Jandel RM3000电阻率测量仪单线连接供电和控制。
系统组成:包含测试台、AFPP主机、可调节高度轴杆、四探针探头及连接电缆。
工作原理:AFPP通过电机驱动探针头自动向下移动,当探针接触到样品表面时,集成的传感器会检测到接触并自动停止,从而保护探针和样品,并实现可重复的测量高度。
cartridge型四探针探头(兼容CDE系统)
这是一款专门设计用于与CDE (Control Data Corporation) 系统兼容的探头,具有6个连接通道 。
技术参数:与标准四探针探头基本一致,但设计上与KLA/Tencor/Prometrix等工具不直接替换,需注意区分使用 。
工作原理:其电气连接方式和机械接口经过特别设计,确保能够与CDE ResMap等特定型号的电阻率测试仪精确匹配,实现即插即用的测量。
优势特点
制造精度:所有探头在出厂前均经过视频检测系统和光学干涉仪检验,以验证针尖半径曲率、间距和平面度的规范。弹簧负载通过电子测力计校准,确保每根探针的压力符合标准。
材料选择:探针针尖采用实心碳化钨制成,保证了使用的耐久性和精度。根据应用需求,还可选用50%锇合金材质 。
导向结构:探针内部使用宝石作为上下导向轴承,这种设计使探针在伸缩时平滑顺畅,减少了摩擦和侧向力,提高了测量的稳定性和探针寿命。
高绝缘性能:采用特氟龙绝缘材料,使得探针之间的漏电电流极低(两针间电阻在500V时可达10¹³Ω),适合测量高阻材料 。
广泛的定制选项:针对不同材料和测量需求,提供多种针尖半径、压力、间距和针头材质的组合。同时,生产多种形状的探头以适配不同品牌(如KLA、CDE、Napson等)的现有设备 。
应用领域
半导体行业:用于测量硅晶圆、外延层、扩散层、离子注入层等材料的薄层电阻和电阻率,是半导体工艺监控和质量控制的重要工具。
大学与研究实验室:用于材料科学研究中测量薄膜、导电涂层、金属、半导体材料的基本电学性质。
薄膜与涂层工业:测量太阳能电池薄膜、平板显示器、光学涂层、导电聚合物等的薄层电阻均匀性。
材料测试:评估块状材料(如硅锭、锗锭)的体电阻率,以及分析材料在不同条件下的电学性能变化。
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