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上海伯东美国 KRi射频离子源 RFICP 140,高能量射频源
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价格：￥电议
更新日期：2026/1/14 10:28:28
生 产 地：美洲
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详细内容
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KRI 射频离子源 RFICP 140
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出大 600 mA 离子流.
| 阳 | 电感耦合等离子体 |
| 大阳功率 | 1kW |
| 大离子束流 | > 500mA |
| 电压范围 | 100-1200V |
| 离子束动能 | 100-1200eV |
| 气体 | Ar, O2, N2,其他 |
| 流量 | 5-40sccm |
| 压力 | < 0.5mTorr |
| 离子光学, 自对准 | OptiBeamTM |
| 离子束栅 | 14cm Φ |
| 栅材质 | 钼, 石墨 |
| 离子束流形状 | 平行,聚焦,散射 |
| 中和器 | LFN 2000 |
| 高度 | 25.1 cm |
| 直径 | 24.6 cm |
| 锁紧安装法兰 | 12”CF |
KRI 射频离子源 RFICP 140 应用域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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