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上海伯东射频离子源 RFICP 40,高能量射频源,真空镀膜离子源
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价格：￥电议
更新日期：2026/1/14 10:28:28
生 产 地：美洲
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详细内容
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸小, 低成本离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
射频离子源 RFICP 40 特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性
KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:
| 型号 | RFICP 40 |
| Discharge 阳 | RF 射频 |
| 离子束流 | >100 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V |
| 栅直径 | 4 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
| 流量 | 3-10 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| 典型压力 | < 0.5m Torr |
| 长度 | 12.7 cm |
| 直径 | 13.5 cm |
| 中和器 | LFN 2000 |
KRI 射频离子源 RFICP 40 应用域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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