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上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 100,高能量射频源
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价格：￥电议
更新日期：2026/1/14 10:28:28
生 产 地：美洲
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详细内容
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数
| 阳 | 电感耦合等离子体 |
| 大阳功率 | 600W |
| 大离子束流 | > 300mA |
| 电压范围 | 100-1200V |
| 离子束动能 | 100-1200eV |
| 气体 | Ar, O2, N2,其他 |
| 流量 | 5-20 sccm |
| 压力 | < 0.5mTorr |
| 离子光学, 自对准 | OptiBeamTM |
| 离子束栅 | 10cm Φ |
| 栅材质 | 钼, 石墨 |
| 离子束流形状 | 平行,聚焦,散射 |
| 中和器 | LFN 2000 |
| 高度 | 23.5 cm |
| 直径 | 19.1 cm |
| 锁紧安装法兰 | 10”CF |
KRI 射频离子源 RFICP 100 应用域
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下
美国 KRI 射频离子源 RFICP 100
美国 HVA 真空闸阀
德国 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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