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北京卓立汉光仪器有限公司

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硅光电探测器DSi系列

  • 参考价: 咨询
  • 型号:DSi系列
  • 品牌: $brandModel.Title
  • 所属地区:中国大陆
  • 原产地:北京-北京市
  • 产品摘要:硅光电探测器DSi系列 硅光电探测器(Si)———室温型探测器,波长范围:200-1100nm 两种型号的探测器室的外观相同,其中:DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器
    DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器 推荐配合I-V放大器(型号:ZAMP)使用

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产品完善度:

更新时间:2026/9/21 9:10:22关注度:1801

关键词标签:光谱测量用探测器,硅光电探测器,光电探测器

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■ DSi200/DSi300硅光电探测器

硅光电探测器(Si)
———室温型探测器,波长范围:200-1100nm
两种型号的探测器室的外观相同,其中:
◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器
◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器
◆ 推荐配合I-V放大器(型号:ZAMP)使用
两种型号硅光电探测器的光谱响应度曲线图:(右)
硅光电探测器使用建议:
◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;
◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器。
型号列表及主要技术指标:
技术指标\型号名称
DSi200 紫敏硅探测器
DSi300 硅探测器
进口紫外增强型
国产低暗电流型
接收面积(mm2)
100(Φ11.28)
100(10×10)
波长范围(nm)
200-1100
300-1100
峰值波长(nm)
-------
800±20
峰值波长响应度(A/W)
0.52
>0.4
254nm的响应度(A/W)
0.14(>0.09)
-------
响应时间(μs)
5.9
-------
工作温度范围(℃)
-10~+60
-------
储存温度范围(℃)
-20~+70
-------
分流电阻RSH(MΩ)
10(>5)
-------
等效噪声功率NEP (W/√Hz)
4.5×10-13
-------
暗电流(25℃;-1V)
-------
1X10-8—5×10-11 A
结电容(pf)
4500
<3000(-10V)
信号输出模式
电流
电流
输出信号极性
正(P)
正(P)






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