晶圆洁净烘箱，光刻硬烘烤箱洁净度100级的洁净热处理HEPA过滤器与前出风型水平层流循环方式实现并保证箱内的温度分布的均匀性与100级洁净度。最小限度控制风速距离。

晶圆洁净烘箱，光刻硬烘烤箱涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。

在晶片显影后，为了后面的工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。

JS-DHB180B无尘烘箱系用于半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃等材料涂胶前的预处理烘烤、涂胶后坚膜烘烤和显影后的高温烘烤，强制送风循环方式。双风道循环结构，温度场分布均匀，智能P.I.D温控系统，得到最佳温度控制精度。

晶圆洁净烘箱，光刻硬烘烤箱特点：
1.在普通环境下使用，能够确保烘箱内部等级达到Class 100；
2.全周氩焊，耐高温硅胶破紧，SUS304#不锈钢电热生产器，防机台本身所产生微尘；
3.采平面水平由后向前送风热风循环系统，风源由循环马达运转带动风轮经电热器，将热风由风道送至烤箱内部，且将使用后空气吸入风道成为风源再度循环加热，省电节能温度均匀性好，过滤效率99.99%，Class 100；

4.强制送风循环方式。双风道循环结构，温度场分布均匀，智能P.I.D温控系统，得到高温度控制精度。

晶圆洁净烘箱，光刻硬烘烤箱技术参数：

无尘等级：Class 100;

温度范围： 60～ +300℃；
温度均匀度：200℃±2℃;

温度波动度：±0.5℃（空载）
温控精度：±0.1℃;

工作尺寸：600×600×500mm
电源：380v , 50Hz，10KW

网板：2块（高度可调节)