用于晶圆的单面烘烤，可用于预烘烤（Pre-bake），烘（soft bake），底胶涂覆（Primer Vapor）和后烘烤(hardbake坚膜)工艺。适应于半导体硅片，载玻片，晶片，基片，ITO导电玻璃等工艺，制版的表面涂覆后，薄膜烘干，固化。热板温度稳定度高，重复性好。可在工矿企业、科研、教育等单位作生产、科研、教学之用。

精密烤胶台技术性能：

加热面积尺寸：160mm*160mm、220mm*220mm，多尺寸定制

控温范围：室温－－200、300/400/500/600℃

温度分辨率 ：0.1℃

温度波动度：≤±0.5℃

温度均匀性：≤±0.5/1℃

电源输入：AC220V 10A

加热功率：1500W

热板表面: 由硬质阳氧化铝制成

精密烤胶台特点：

稳定性能非常好，温度稳定度可达±0.5℃。

温度调节范围宽：室温-500℃

采用闭环控制，升温速度快。

具有定时功能。同时带倒计时显示功能。

采用数字按键控制温度与时间，温度与时间设定更加精确。

机身全部采用不锈钢，耐酸耐碱耐腐蚀。

针对客户基片尺寸大小，提供加热板定制服务。

半导体光刻胶烤胶机，基片烘胶台定制可选配功能：

支撑pin材料

边缘支撑pin

N2吹扫，无氧化烘烤

烘焙距离可调模组

真空腔体

智能型控制系统