在半导体集成电路制造过程中，晶圆表面预处理、涂胶、曝光后的烘焙即曝光后烘烤(Post Exposure Bake，PEB)、对准、显影、显影后烘焙等因素都会对光刻工艺效果带来显著影响。更重要的是晶圆曝光后烘烤温度的变化会影响终成像的光刻特征尺寸，因此光刻工艺中曝光后烘烤条件温度的选取显得尤为重要。然而在高温烘烤时防氧化更为重要。

无氧烘箱，无氧化烘箱主要用途

无氧烘箱用半导体集成电路制造中的封装，坚膜，老化等工艺。PI、BCB胶高温固化烘烤、光刻胶固化工艺要求，适用于触摸屏、晶圆、LED、PCB板、ITO玻璃等.

无氧化烘箱技术性能

内部大小：W350mm×D350mm×H350mm，W600mm×D600mm×H600mm可定制

材料：外部采用优质冷轧板喷塑，内部采用优质耐高温SUS304不锈钢

温度指标：50-300、450℃

温度分辨率： 0.1℃

波动度：＜±1.0℃

均匀度：≤±1.5%

洁净度： class 100，可选配

升温速度：0-10℃/min

降温速度:依降温配置而定

氧浓度：≤ 20ppm

操作方式：人机交互；

控制：曲线升降温模式

控温仪表：进口温控仪

控温段数：23×20段

测温装置：高精度热电偶

超温保护：独立限温保护

检测点数：6点检测，记录仪

氮气控制：装有双通道可调式氮气流量计，全程通氮气