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西安立鼎光电科技有限公司 主营产品:短波红外相机, 科研EMCCD, 光电测试设备

第3年

当前位置: 阿仪网 > 西安立鼎光电科技有限公司 > 产品展示 > 点元探测器 > 铟镓砷 InGaAs > 铟镓砷探测器

铟镓砷探测器

价格:¥电议

品牌名称:$brandModel.Title型号: 原产地:其他 更新时间:2026/11/11 10:03:29

产品摘要:三元体系InAs/GaAs 的带隙涵盖从InAs 的0.35eV (3.5um) 到GaAs 的l. 43eV(0.87um) 的范围。通过改变InGaAs 吸收层的合成成分,可以使光电探测器的响应度在最终用户所要求的波长条件下达到最大值,从而提高信噪比。

支付方式:

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产品完善度: 访问次数:497

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参观次数:74671

手机网站:http://wap.app17.com/c168703/

旗舰版网址:http://www.leadingoe.cn

详细内容

联系人:郝俊琦     联系电话:17788032793

常规InGaAs点元探测器

Pin characteristics(Ta=25℃)

parameter

unit

Typical value

Active aperture

mm

1

2

3

package

——

TO-46

6CLCC

TO-39

8CLCC

TO-39

4CLCC

Wavelength range

um

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

Modol No.(LAPD-)

---

1000

1000S

1000-C

1000S-C

2000

2000S

2000-C

200S-C

3000

3000-C

R@0.65um.0V

A/W

0.05

0.35

0.05

0.35

0.05

0.35

0.05

0.35

0.05

0.05

R@0.85um.0V

A/W

0.20

0.50

0.20

0.50

0.20

0.50

0.20

0.50

0.20

0.20

R@1.31um.0V

A/W

0.9

R@1.55um.0V

A/W

1.0

Shunt resistance

MW

50

25

10

Dark current@-5V

nA

5

10

25

capacitance@0V

pF

80

170

400

600

1500

2500

NEP@1.55um

pW/Hz1/2

0.02

0.04

0.06

常规InGaAs光电晶片

Pin characteristics(Ta=25℃)

parameter

unit

Typical value

Active aperture

mm

1

2

3

thickness

um

300

Wavelength range

um

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

Modol No.(PIN-)

---

1000

1000s

2000

2000s

3000

R@0.65um.0V

A/W

0.05

0.35

0.05

0.35

0.05

R@0.85um.0V

A/W

0.20

0.50

0.50

0.50

0.20

R@1.31um.0V

A/W

0.9

R@1.55um.0V

A/W

1.0

Shunt resistance

MW

80

25

10

Dark current@-5V

nA

5

10

25

capacitance@0V

pF

140

500

1500

NEP@1.55um

pW/Hz1/2

0.02

0.04

0.06

波长扩展型InGaAs探测器

Paremeter

Active area(mm)

Cut off wavelength

A/W min. (typ.)

NEP W/min.

Dark Current max.

Package

LD-GAP500

0.5

1.7um

0.95@1550nm

0.8x10-14

30 @5V(nA)

TO46

LD-GAP1000

1

1.7um

0.95@1550nm

1x 10-14

100 @5V(nA)

TO46

LD-GAP2000

2

1.7um

0.95@1550nm

3 x10-14

200 @1V(nA)

TO5

LD-GAP3000

3

1.7um

0.95@1550nm

5 x10-14

500 (@1V(nA)

TO5

LD-GAP5000

5

1.7um

0.95@1550nm

28 x10-14

10mA(@0.3V(nA)

TO5

LD-GAP300-1.9

0.3

1.9um

0.9/1.0

3 x10-14

0.1@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-1.9

0.5

1.9um

0.9/1.0

9 x10-14

0.9@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-1.9

1

1.9um

0.9/1.0

0.13 x10-12

4@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-1.9

2

1.9um

0.9/1.0

0.26x10-12

10@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-1.9

3

1.9um

0.9/1.0

0.38 x10-12

22.5@1V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.05

0.3

2.05um

0.9/1.0

5.7 x10-14

0.5@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.05

0.5

2.05um

0.9/1.0

8.1 x10-14

1@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

23.4 x10-14

4@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.05

2

2.05um

0.9/1.0

42.8 x10-14

10@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.05

3

2.05um

0.95/1.1

90.7 x10-14

12@0.5V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.2

0.3

2.2um

0.9/1.0

0.14x10-12

1@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.2

0.5

2.2um

0.9/1.0

0.22x10-12

5@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

0.46x10-12

10@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.2

2

2.2um

0.9/1.0

1.28 x10-12

40@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.2

3

2.2um

0.9/1.0

2.87x10-12

100@1V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.6

0.3

2.6um

0.9/1.0

0.81x10-12

13@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.6

0.5

2.6um

0.9/1.0

1.43x10-12

20@0.5V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

2.03x10-12

80@0.5V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.6

2

2.6um

1.0

3.31x10-12

320@0.5V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.6

3

2.6um

1.0

5.74x10-12

500@0.5V(uA)

TO5


热门标签:铟镓砷探测器,短波点元探测器

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