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320*256铟镓砷探测器
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详细内容
产品型号
InGaAs面阵探测器的响应波段为900-1700nm/2200nm,目前可提供320x256和640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合,同时采用LCC及Kovar气密封装,且表面镀有抗反射膜。我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。
320×256系列FPA参数表
型号 | FPA-320×256-C | FPA-320×256-K-TE1/TE2 | FPA-320×256-K-2.2-TE2 |
材料 | InGaAs | InGaAs | InGaAs |
响应波段 | 0.9um-1.7um | 0.9um-1.7um | 1.2um-2.2um |
图像分辨率 | 320×256 | 320×256 | 320×256 |
像元尺寸 | 30um | 30um | 30um |
靶面尺寸 | 9.6mm×7.68mm | 9.6mm×7.68mm | 9.6mm×7.68mm |
封装 | 44-pin CLCC | 28-pin MDIP | 28-pin MDIP |
重量 | 1.6g | 24.6g/25.6g | 24.6g |
有效像元率 | >99.5% | >99% | >97% |
暗电流 | <0.4pA | ≤0.4pA | ≤10pA |
量子效率 | ≥70% | ≥70% | ≥70% |
填充率 | >99% | >99% | >99% |
串扰 | <1% | <1% | / |
探测率 | ≥5×1012J | ≥5×1012J (TE1) ≥7.5×1012J(TE2) | ≥1×1012J |
响应非均匀性 | ≤10% | ≤10% | ≤40% |
非线性(最大偏差) | ≤2% | ≤2% | ≤2% |
最大像素率 | 10MHz | 10MHz | 10MHz |
增益 | High:13.3uV/e-Low:0.7uV/e- | High:13.3uV/e- Low:0.7uV/e- | High:13.3uV/e- Low:0.7uV/e- |
满阱容量 | High:170Ke-Low:3.5Me- | High:170Ke-Low:3.5Me- | High:170Ke-Low:3.5Me- |
TEC制冷 | 无 | TE1/TE2 | TE1/TE2 |
工作温度 | -20℃—85℃ | -20℃—85℃ | -20℃—85℃ |
储存温度 | -40℃—85℃ | -40℃—85℃ | -40℃—85℃ |
功耗 | 175mw | 175mw** | 175mw** |
注:**不带制冷
热门标签:短波红外探测器,320*256















