低串扰光学设计：采用复合反射层（金属 + 白色环氧）与像素分割工艺，像素间串扰 < 5%，确保多像素同步探测时的信号独立性。
高一致性制造工艺：晶体切割与研磨精度达 ±0.01mm，像素间光输出均匀性 ±10%，批次间一致性 ±10%，适配大规模阵列拼接应用。
材料适配灵活性：支持 CsI (Tl)、LYSO、BGO、CdWO₄等主流闪烁晶体，可根据探测能量（keV-MeV）、衰减时间（36ns-14µs）与余晖特性选择蕞优材料。
环境适配：晶体阵列可封装为 IP68 防护等级，耐受 - 40℃~+85℃温度范围，适配石油测井、航空航天等恶劣工况。

在像素尺寸、像素数量、像素间隔材料（包括反射材料和/或辐射屏障材料）以及晶体表面处理方式等方面，有多种设计选择可供选择。

线性阵列组件：（单行像素）——线性阵列组件通常与像素化光电二极管配合使用，常用于安全类应用中，常见的是行李扫描仪、货物检查以及其他非破坏性检测。在医疗应用中，诸如 LYSO 这样的晶体则用于骨矿物质密度测定仪中。
二维阵列组件（以 X-Y 矩阵形式排列的像素）——二维阵列通常与像素化光电二极管、位置敏感光电倍增管（PSPMT）和硅光电倍增管（SiPM）配合使用，其蕞常见的应用领域是医疗成像扫描仪（PET、SPECT、CT）、无损检测与检查。

二维闪烁晶体阵列（像素阵列）可用像素尺寸：

Minimum Discrete Pixel Sizes Available in Crystal Scintillators
Material	Minimum Pixel Sizes*		Comments
Material	Linear (mm)	2D (mm)	Comments
CsI(Tl)	0.3	0.5
CdWO4	0.3	1.0	Cleavage Plane
BGO	0.3	0.3
LYSO	0.8	0.8	Min. Untested
	*Guidelines, not hard numbers

分隔器/反射器：

像素的几何形状、反射器的厚度、所使用的闪烁体材料以及其他因素都会影响每个阵列设计所获得的反射率。阵列反射器材料按反射率从高到低的顺序排列。

Separator Types and Thicknesses in Order of Decreasing Reflectivity
Material	Thickness Range	Approximate Relative Reflectivity
White Powder (e.g. TiO2, MgO)	0.25 mm and up
Teflon Sheet	0.15 mm - 0.50 mm	98%
White Reflector Paint	0.04 mm - 0.10 mm	96%
White Plastic	0.05 mm and up	95%
White Epoxy	0.10 mm - 0.75 mm	94%
Composites	0.10 mm and up	94%
Aluminum/Epoxy	0.05 mm - 0-.1 mm	75%
Metals (Pb, Ta) / Epoxy	0.05 mm and up	65%

阵列闪烁体特性：

Material	CsI(Tl)	CdWO4	BGO	LYSO
afterglow	0.5-5% @6ms	0.1% @3ms	0.005% @3ms	<0.1% @6ms
Primary Decay Time (ns)	1000	14000	300	36
Wavelength of Maximum Emission [nm]	550	475	480	420
Relative Rad Hardness	Medium	High	High	High
Relative Light Output [photons/keV]	54	13	9	32
Hygroscopic	slightly	no	no	no
Solubility in H2O, g/100g@25oC	85.5	0.5	/	/
Density, g/cm3	4.51	8.0	7.13	7.10

低余辉线性 CsI(Tl) 分段阵列：

CsI(Tl) 传感器阵列制造技术的进展使得后辉光现象得到减少，光输出得以提高，且后辉光的均匀性也有所改善。单能量、双能量、固定框架、旋转机架以及基于 CsI(Tl) 的各种阵列均可应用于众多行业的高质量 X 射线成像应用中，包括（安全行李扫描、货物扫描、医疗、非破坏性工业检测等）。

Array Perｆormance (Typical)
Light output uniｆormity	±10% within an array (requires matchingphotodiode)
Light output array to array	±10%
Afterglow	5000ppm @100ms (initial test) ≤2500ppm (after burn-in)
Afterglow uniｆormity	±10% within an array
Array Design Capabilities
Number of channels (typical)	8-64
Minimum pitch	0.5mm
X-Ray thickness	50mm Max