超分辨量子显微镜（3D磁电流显微镜）
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品牌名称：$brandModel.Title型号：原产地：中国大陆 更新时间：2026/10/9 8:12:41
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详细内容
超分辨量子显微镜 (3D磁电流显微镜）
提供一种用于异构集成和封装失效分析的超分辨率量子显微镜系统。该技术利用高灵敏度磁电流成像（MCI）提取多层信息，可深入查看集成电路内芯片堆叠的内部结构。
超分辨量子显微镜（3D磁电流显微镜）产品特点：
叠层失效的横向和深度定位
高横向/深度分辨率（分别低至200 nm和1µm）、宽视场（高达4 mm）的3D磁成像能力使我们能够为不同层创建电流图像，识别短路和真正的开路。
样品制备简单
由于磁场可不受影响地穿过cmos材料，因此需要的样品制备只是de-capping。
强大的QD软件
软件利用专门开发的机器学习和后处理算法，可在几分钟内获得结果。
室温、环境条件、稳健运行
无需特别条件即可轻松识别故障。
1. TOP image 显示了一个样品的磁场图，其中3个不同层同时位于不同深度的活动电流。层间距为85µm。
2. Left column（灰色）显示了从总图像中提取的各个单独层。
3. Right column（蓝色）显示了产生磁场的各个层内提取的电流。
超分辨量子显微镜（3D磁电流显微镜）参数指标：
系统参数
| 侧向分辨力（xy) | 达200nm |
| 深度分辨力（z) | 达1um |
| 视场范围 | 达4mm×4mm |
| 基底噪声 | 150nT (DC) （AC可达10nT） |
| 频率范围 | DC-4GHz (AC) |
| 灵敏度 | 10 µT/√Hz （DC），1 nT/√Hz （AC） |
| 测量时间 | 5-10min (type) |
一般规格
| 系统尺寸（W x L x H) | 0.7 m x 0.7 m x 1.7 m |
| 系统重量 | ~350kg |
| XYZ位移台 | 300mm x 300 mm x 20 mm (行程） |
| 功耗 | 2 kW (max ) |
| 制冷方式 | 风冷 |
**具体使用详情，可咨询上海昊量光电设备有限公司。
更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电
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