CCVD管式炉由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，CVD管式炉除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在CVD管式炉正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域
CVD管式炉是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统
CVD管式炉的特点：
1 CVD石墨烯炉兼容、常压、微正压多种主流的生长模式
2 CVD石墨烯炉可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长
3 CVD石墨烯炉使用计算机控制，可以设置多种生长参数
4 CVD石墨烯炉可以制备高质量，大面积石墨烯等碳材料，尺寸可达数厘米，研究动力学过程
5 CVD石墨烯炉沉积效率高；薄膜的成分精确可控，配比范围大；厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜沉积且能大量生产