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282nm 深紫外激光二极管

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品牌名称：$brandModel.Title型号：原产地：中国大陆更新时间：2026/9/21 9:09:18

产品摘要：282nm 深紫外激光二极管一款发射波长为 282纳米的半导体深紫外激光二极管。它代表了紫外光源技术的重大突破，将高效、紧凑、低功耗的半导体激光技术扩展到了传统上由气体激光器（如氦镉激光器）或固态倍频激光系统主导的深紫外波段。282nm波长位于UVC光谱范围内，具备不一样的物理和化学效应，是生物医学、高精度分析及制造的理想光源。

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详细内容

282nm 深紫外激光二极管

图3.jpg

产品总览

一款发射波长为 282纳米的半导体深紫外激光二极管。它代表了紫外光源技术的重大突破，将高效、紧凑、低功耗的半导体激光技术扩展到了传统上由气体激光器（如氦镉激光器）或固态倍频激光系统主导的深紫外波段。282nm波长位于UVC光谱范围内，具备不一样的物理和化学效应，是生物医学、高精度分析及制造的理想光源。

产品特点

封装形式：5.6 mm浮空安装

横向多模输出

光输出功率：10 mW

产品应用

生物医学与生命科学

分析化学与传感

工业与材料加工

尺寸图

图片2.png

参数

项目		条件	符号	Min. 值*	典型值	Max. 值*	单位
峰值波长		Po=10mW	λp		282		mm
阈值电流		Pulse[1]	Ith		55		mA
工作电流		Po=10mW	Iop		70		mA
斜率		Pulse[1]	η		1		W/A
工作电压		Po=10mW	Vop		9		V
光束发散角[2]	平行	Po=10mW	θ//		15		°
光束发散角[2]	垂直	Po=10mW	θ⊥		55		°