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BOA1290065CC550MXXXX-载体上的增强光放大器
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详细内容
产品总览
产品特点 • 高输出功率 > 550mW @ 1290nm • 高饱和输出功率 (22dBm) • 专有防反射涂层技术,可靠性高 产品应用 • LiDAR • 数据通信 • 扫频源、可调激光器 • 光学相干断层扫描 (OCT) 推荐操作条件 @ CW,样品安装在铜散热器上 参数 Min. 值 典型值 Max. 值 单位 散热器温度 20 25 30 ℃ 正向电流 2000 3000 mA 放大模式下的输出功率 550 mW 输入光功率* -20 10 15 dBm *-考虑光纤芯片耦合效率 增益特性 @ CW, 25°C, 2000mA, 输入信号 10dBm, 1290nm 参数 Min. 值 典型值 Max. 值 单位 正向电流@550mW 3000 mA 饱和输出功率@-3dB 18 22 dBm 增益 13 18 小信号增益@-20dBm 36 43 dB 峰值波长 1280 1290 1300 nm 带宽@-3dB 65 nm 噪声系数@Pin=-20dBm(不包括输入耦合) 5 dB 放大自发辐射(ASE)特性 @CW,25°C, 2000mA,无输入信号 Min. 值 典型值 Max. 值 单位 输出功率(每个端口) 175 mW 正向电压 1.6 2.2 V 平均波长 1225 nm 带宽(FWHM) 15 0.04 1 dB 慢轴光束发散度 (FWHM) 4 8 11 deg 快轴光束发散度 (FWHM) 24 28 33 deg 偏振消光比 (PER) 14 18 dB 偏振 TE ** - 以 20pm 分辨率在光谱Max. 值附近 1nm 范围内测量 典型性能(仅供参考) jue对Max. 额定参数 参数 Min. 值 Max. 值 单位 输出光功率 1300 mW 输入光功率 20 dBm 正向电流 4000 mA 反向电压 2 V 焊接温度(最长 5 秒) 250 °C 芯片工作温度(高于露点) 5 50 °C 存储温度 5 50 芯片参数 参数 Min. 值 典型值 Max. 值 单位 芯片长度 8 mm 正面的背向反射 0.001 % 背面的背向反射 0.001 % 尺寸(单位:毫米) 安全和操作说明 此设备发出的光是不可见的,对人眼有害。设备运行时,请避免直视光纤连接器。在连接器打开的情况下操作时,必须佩戴适当的激光安全眼镜。 jue对Max. 额定值仅可短时间应用于设备。长时间暴露于Max. 额定值或暴露于多个Max. 额定值可能会导致设备损坏或影响设备的可靠性。在设备的Max. 额定值之外操作设备可能会导致设备故障或安全隐患。必须使用与组件一起使用的电源,以使Max. 正向电流不超过。 热辐射器上的设备需要适当的散热器。必须使用 4 个螺钉(以 X 型螺栓拧紧,初始扭矩设置为 0.075Nm,最终以 X 型螺栓拧紧,扭矩设置为 0.15Nm)或夹具将设备安装在散热器上。散热器表面的平整度偏差必须小于 0.05mm。建议在外壳底部和散热器之间使用铟箔或导热柔软材料作为热界面。不宜为此使用导热油脂。 避免设备背反射。它可能会影响设备在光谱和功率稳定性方面的性能。 还可能导致致命的面损坏。强烈建议使用光隔离器来阻挡背反射。 不要拉动光纤。不要弯曲半径小于 3 厘米的光纤。在安装过程中,应始终保护光纤顶部免受任何污染或损坏。取下光纤顶部的防尘盖后,使用沾有异丙醇或乙醇的光学镜头清洁纸或棉签沿一个方向擦拭,小心清洁光纤顶部。仅使用干净的光纤连接器操作设备。 ESD 保护 - 静电放电是产品意外故障的主要原因。采取极端预防措施以防止 ESD。在设备安装过程中,必须保持 ESD 保护 - 在处理产品时使用腕带、接地的工作表面和严格的防静电技术。 型号识别 BOA1290065CC550MXXXX -> 输出功率为 550mW,平均波长为 1290nm,带宽为 65nm,载波芯片


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