Si光电探测器 光敏面直径2mm
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详细内容
Si光电探测器 光敏面直径2mm



本系列其它产品型号共7条
| 名称 | 型号 | ||
|---|---|---|---|
| 法兰式Si光电探测器 光敏面直径200um | MP-Si-02-ADP E80040025 | 200um光敏面直径;法兰式结构;响应波段:400-1100nm;Si基材料 响应速度:<2ns | 光谱响应: 400-1100nm 感光规格: 200µmØ |
| 光纤耦合式Si光电探测器 光敏面直径200um | MP-Si-02-FC-SA E80040026 | 200um光敏面直径;单模光纤耦合;响应波段:400-1100nm;Si基材料 响应速度:<2ns;FC/APC接头 | 光谱响应: 400-1100nm 感光规格: 200µmØ |
| 超快Si光电探测器 光敏面直径0.2mm | MP-Si-02-TO46 E80040027 | 0.2mm光敏面直径;响应波段:400-1100nm;Si基材料 响应速度:<2ns | 光谱响应: 400-1100nm 感光规格: 200µmØ |
| Si光电探测器 光敏面直径4mm | MP-Si-4-TO8 E80040020 | 4mm光敏面直径;响应波段:400-1100nm;Si基材料 响应速度:<2ns;TO8封装 | 光谱响应: 400-1100nm 感光规格: 4mm Ø |
| 6mm大光敏面(Si)硅光电探测器 | MP-Si-6-TO8 E80040028 | 6mm光敏面直径;响应波段:400-1100nm;Si基材料 响应速度:<2ns;TO8封装 | 光谱响应: 400-1100nm 感光规格: 6mm Ø |
| 8mm大光敏面(Si)硅光电探测器 | MP-Si-8-TO8 E80040023 | 8mm光敏面直径;响应波段:400-1100nm;Si基材料 响应速度:<25ns;TO8封装 | 光谱响应: 400-1100nm 感光规格: 8mm Ø |
| 超快Si光电探测器 光敏面直径1mm | MP-Si-1-TO46 E80043096 | 1mm光敏面直径;响应波段:400-1100nm;Si基材料 响应速度:<6ns | 光谱响应: 400-1100nm 感光规格: 1mm Ø |
产品总览
器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。
型号参数
特点:
平面正照结构
快速响应
低暗电流
高响应度
高可靠性
应用领域:
光纤通信、传感、测距
可见光至近红外领域的光探测
快速光脉冲检测
各种工业控制系统。
产品参数:
参数 | 符 号 | 测试 条件 | 典 型 值 | 单位 | ||||||||||||
光敏面尺寸 | Φ0.2 | Φ0.5 | Φ1 | Φ2 | Φ4 | Φ5 | Φ8 | 0.5X0.5 | 1X1 | 1.3X1.3 | 2X2 | 3X3 | mm | |||
光参数 | 光谱响应 范围 |
λ |
400~1100 |
nm | ||||||||||||
响应度 |
Re | VR=15V λ=900nm |
0.40 |
0.45 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0.55 |
0.45 |
0.45 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
A/W | |
响应时间 |
tr | VR=15V, RL=50Ω |
2 |
5 |
6 |
8 |
15 |
15 |
25 |
3.5 |
5 |
8 |
10 |
15 |
nS | |
电参数 | 暗电流 | ID | VR=15V | 1 | 2 | 3 | 5 | 12 | 40 | 60 | 3 | 3 | 4 | 6 | 10 | nA |
反向击穿 电压 |
VBR |
IR=10µA |
100 |
50 |
80 |
V | ||||||||||
电容 |
Cj | f=1MHz VR=15V |
0.8 |
1.2 |
2.0 |
6 |
20 |
30 |
70 |
6.0 |
3 |
3 |
10 |
25 |
pF | |
工作电压 | VR | 0~15 | V | |||||||||||||
管座型号 | 同轴 II 型、5501、 TO46、插拔式、带尾纤 |
TO-5 |
TO-8 | 同轴 II 型、5501、 TO46、插拔式、TO5 |
TO-5 | |||||||||||
饱和光功率 0.3w/cm2 | ||||||||||||||||
*器件的光敏面尺寸及技术指标可根据用户的使用要求而定;具体参数及器件管壳使用引脚详见产品附带参数表.
封装尺寸:
封装图片 | 尺寸信息 | 订购代码 |
![]() |
|
C-II |
|
|
TO46 |
| |
5501 |
|
|
TO5A |
|
|
TO5B |
|
|
TO8 |
|
|
FC-SA |
|
|
ADP |
注意事项
该器件在反向偏置电压下工作,注意器件极性不能接反。
光纤弯曲度不能小于 45 度。
器件在贮运、使用中注意静电防护措施。
热门标签:筱晓光子,Si光电探测器,光电探测器





























