光学平台产品及厂家
oracle iii由中央真空传输系统(cvt)、真空盒升降机和最多四个工艺反应室构成。这些工艺反应室与中央负载锁对接，既能够以生产模式运行，也能够作为单个系统独立作业。 oracle iii是市场上最灵活的系统，既可以为实验室环境进行配置(使用单基片装卸)，也可以为批量生产进行配置(使用真空盒升降机进行基片传送)。
更新时间:2024-05-15
titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统。titan具有反应离子刻蚀(rie)配置、高密度电感耦合等离子沉积(hdicp)或等离子增强型化学汽相沉积(pecvd)配置。可对单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm)进行处理。它还具有多尺寸批量处理功能。价格适宜且占地面积小。
更新时间:2024-05-15
美国trion orion iii pecvd 薄膜沉积系统可以在紧凑的平台上生产高品质的薄膜。独特的反应器设计可以在在极低的功率生产具有优异台阶覆盖的低应力薄膜。该系统可以满足实验室和中试生产环境中的所有安全，设施和工艺标准要求。
更新时间:2024-05-15
orion hdcvd 高密度气相化学沉积系统采用高密度的化学气相沉积技术，在惰性气体进入口安装感应线圈，周围布置陶瓷管。射频创建等离子体,通过气体环在衬底表面附近引入挥发性气体。当惰性气体与挥发性物质结合时，会发生化学反应，然后在衬底表面沉积一层薄膜.
更新时间:2024-05-15
德zeiss sigma sem 电子束直写仪,利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等沿域。
更新时间:2024-05-15
俄罗斯 optosystem 准分子激光器：cl7000, 准分子激光器是传统的气体激光器，由于波长短（紫外），短脉冲宽度，高脉冲能量，是激光器家族不可替代的品种！应用上，准分子激光器在脉冲沉积镀膜（pld），光纤光栅刻写，lasik，光刻，微纳加工等方面占主导的地位。
更新时间:2024-05-15
瑞典 mycronic 掩膜版光刻机 fps6100，用于制作高精度掩膜版，广泛用于半导体，tft-lcd，微电子等行业。
更新时间:2024-05-15
英国nanobean nb5 电子束光刻机,具有良好的稳定性，平均正常运行时间超过93%.
更新时间:2024-05-15
jbx-8100fs 圆形电子束光刻系统· 最新高精密jbx-8100fs圆形电子束光刻系统，通过全方位的设计优化，实现更简便的操作，更快的刻写速度，更小的占地面积和安装空间，并且更加绿色节能。
更新时间:2024-05-15
nanoarch p130是科研3d打印系统，拥有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印层厚，从而实现超高精度的样件制作，非常适合高校和研究机构用于科学研究及应用创新。
更新时间:2024-05-15
系统中集成了高精度的激光干涉工作台，运动行程为50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度为2nm，可以实现精确的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新时间:2024-05-15
ebpg5150使用了155mm大小的样品台，采用跟ebpg5200一样的通用光刻平台设计，对电子束直写应用进行了优化。它可以载入不同大小的样品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新时间:2024-05-15
德国raith voyager 新一代超高分辨率电子束光刻机,系统可实现8英寸样品的高速曝光。系统的稳定性是非常关键的指标，可保证大面积均匀曝光。该系统外部采用环境屏蔽罩，即使在稍差的实验室环境下，仍然能确保系统具有非常好的热稳定性，提高系统对外界环境的容忍度。
更新时间:2024-05-15
raith 150 two可实现亚5nm的曝光结构，可处理8”晶元及以下样片。环境屏蔽罩保证了系统的热稳定性，提高设备对实验室环境的容忍度，即使在相对糟糕的实验室环境下，也能保证系统的正常稳定运行。
更新时间:2024-05-15
raith 150 two可实现亚5nm的曝光结构，可处理8”晶元及以下样片。环境屏蔽罩保证了系统的热稳定性，提高设备对实验室环境的容忍度，即使在相对糟糕的实验室环境下，也能保证系统的正常稳定运行。
更新时间:2024-05-15
phabler 100 紫外光刻机是一套低成本的光学曝光系统，但却能获得高分辨率的周期性结构。同传统的紫外曝光机类似，涂覆了光刻胶的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司拥有突破性的phable 曝光技术，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，从而曝光出亚微米的线性光栅和二维光栅（六角形和正方形），且曝光结果非常均匀，质量很好。
更新时间:2024-05-15
oai 5000e型大面积掩光刻机是一种先进的高性能，全自动掩模对准器和曝光工具，可为大型平板应用提供超精密，顶，亚微米对准和分辨率。 其灵活的设计允许在各种基材（圆形或方形）上印刷高达300mm或20“×20”。 曝光系统兼容近，中，或深紫外范围的光刻胶，并具有计算机控制的led显微镜照明，在不太理想的观察环境中观察。
更新时间:2024-05-15
两种型号的2000型曝光系统包括uv光源，强度控制电源和机器人衬底处理子系统。 uv光源提供发散半角<2.0％的可调强度光束。电源从200w到2,000w。强度控制器传感器直接连接到光源，用于精确的强度监控。机器人衬底处理系统是微处理器控制的，并且可以被编程以适应各种各样的衬底尺寸。
更新时间:2024-05-15
2012sm型自动边缘曝光系统为使用标准阴影掩模技术的边缘珠去除提供了一种经济高效的方法。 设计用于容纳8“到300mm的晶片，该工具具有自动foup装载。 掩模和基材切换可以快速且容易地实现，从而增加该生产工具的通用性和高产量。
更新时间:2024-05-15
2012sm型自动边缘曝光系统为使用标准阴影掩模技术的边缘珠去除提供了一种经济高效的方法。 设计用于容纳8“到300mm的晶片，该工具具有自动foup装载。 掩模和基材切换可以快速且容易地实现，从而增加该生产工具的通用性和高产量。
更新时间:2024-05-15
oai 200型光刻机是一种具有成本效益的高性能掩模对准器，采用经过行业验证的组件，使oai成为光刻设备行业的导者。 200型是台式面罩对准器，需要小的洁净室空间。它为研发，或有限规模，试点生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空吸盘调平系统，衬底快速平稳地平整，用于平行光掩模对准和在接触曝光期间在晶片上的均匀接触。该系统能够实现一微米分辨率和对准精度。
更新时间:2024-05-15
30型uv光源是高效的，可用于各种应用。光由椭圆形反射器收集并聚焦在积分/聚光透镜阵列上，以在曝光平面产生均匀的照明。这种紫外光源提供多种光束尺寸，最大24英寸平方，输出光谱范围从220 nm到450 nm，使用适当的灯（包括）。输出功率范围从200瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配备快速更换过滤器组件，使用户能够轻松定制输出光谱。可选配远程排气风扇。
更新时间:2024-05-15
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新时间:2024-05-15
p-300f,p-300bv 生产型原子层沉积机，p-300f pro: 27片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用picoplatform™200集群系统实现。p-300bv pro: 52片晶圆盒对盒式全自动装载，用真空批量load lock实现。
更新时间:2024-05-15
picosun p-200s pro ald 生产型原子层沉积机 ，衬底尺寸和类型： 。50 – 200 mm /单片 。156 mm x 156 mm 太阳能硅片 。150 mm x 150 mm 显示面板
更新时间:2024-05-15
芬兰picosun™ r-200高级型 ald，衬底尺寸和类型 ： 。50-200 mm /单片 。156 mm x 156 mm太阳能硅片 。3d复杂表面衬底 。粉末与颗粒 。roll-to-roll , 衬底最大宽 70 mm 。多孔，通孔，高深宽比（har）样品
更新时间:2024-05-15
picosun™ r-200标准型原子层沉积机，picosun™ r系列设备提供高质量ald薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性，包括最具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。 我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3d样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。
更新时间:2024-05-15
picosun p-300 advanced ald 高级型原子层沉积机.156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（双面/背对背），高达300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（双面/背对背）；roll-to-roll, 衬底最大宽 300 mm。全自动转载，用工业机器人实现,标准设备验收标准为 al2o3 工艺 .
更新时间:2024-05-15
picosun p-300b advanced ald 高级原子沉积机,基片尺寸和类型 300mm晶圆10片/批次（标准间距）,200mm晶圆25+2片/批次（标准间距）,(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,标准设备验收标准为 al2o3 工艺.
更新时间:2024-05-15
p-300s 生产线型原子层沉积机,最大300mm晶圆/单片,25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用picoplatform™ 300集群系统实现,尺寸：(w x h x d) 160 cm x 80 cm x 240 cm
更新时间:2024-05-15
德国 picosun p-1000 pro ald 生产型原子层沉积机,156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（双面/背对背）,高达400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（双面/背对背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,标准设备验收标准为 al2o3 工艺.
更新时间:2024-05-15
ion 100wb-40q 德国 pva tepla 等离子去胶机，最新推出的具有高性价比的真空等离子去胶设备，配备了一个圆筒石英腔，特别适用于半导体、led、mems等领域的光刻胶灰化、打残胶、氮化物刻蚀、表面清洁等应用的批次处理。
更新时间:2024-05-15
牛津opal开放式样品载入ald设备，紧凑型开放式样品载入原子层沉积（ald）系统，opal提供了业的热ald设备，可以简单明了的升使用等离子体，使得在同一紧凑设备中集成了等离子体和热ald。
更新时间:2024-05-15
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蚀系统，旨在提供深硅蚀刻（dsie）域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（mems）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。
更新时间:2024-05-15
plasmapro 100 ale 牛津原子层刻蚀机，市场应用广，包括但不限于： mems和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。
更新时间:2024-05-15
tf500/tf600 适合先进研发和试生产的全功能系统，系统配置可选择多种腔室尺寸和工艺附件，以精确的符合用户需求。这两个型号的系统都可以安装多个镀膜源，也都支持离子束处理选项。有一系列预进样室（load lock）和样品操纵装置可供选择，以提高真空镀膜效率。
更新时间:2024-05-15
英国hhv auto500 gb 适合手套箱集成的真空镀膜系统，是门设计用于手套箱集成使用的镀膜设备，满足氧气或水汽敏感的材料镀膜的应用要求。该系统配了一个特殊结构的真空腔室，可直接与市场上大多数手套箱集成到一起。真空腔室的门可竖直滑动开关，嵌入手套箱内，并占用很少的手套箱空间；其后门是铰链扇式开关，能在不影响手套箱内气氛的情况下轻松维护腔室内工艺组件。
更新时间:2024-05-15
英国hhv auto 306 科研工作者和电子显微学家的多功能镀膜设备，是一种多功能的紧凑型镀膜设备，设计用于满足科研工作者和电子显微学家的需求。auto306可配备各种真空系统、真空腔室和标准化工艺附件，提供一系列实验技术以满足现代化实验室的需要。
更新时间:2024-05-15
ure-2000/35 型紫外单面光刻机，中科院设计生产，曝光面积：4 英寸 ，非常适合工厂（效率高，操作傻瓜型，自动化程度高）和高校教学科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新时间:2024-05-15
denton 磁控溅射及电子束蒸发薄膜沉积平台,提供了薄膜工业中广泛的配置和沉积模式:电子束蒸发、电阻蒸发、溅射、离子镀和离子辅助沉积。
更新时间:2024-05-15
法plassys超高真空多腔体电子束镀膜机meb550sl3，可以用于沉积ti, ni, au, cr, al, al2o3等金属及氧化物薄膜，目全球主要超导量子实验室均使用该设备制备超导al结（量子比特和约瑟夫森结）和量子器件，可以制备大面积、高度稳定性和可重复性超导结。
更新时间:2024-05-15
美arradiance 台式三维原子沉积系统ald，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可最多容纳9片8英寸基片同时沉积。gemstar xt全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。
更新时间:2024-05-15
最新产品
- MDA-PCA-2B +LUC +RFP人列腺癌细胞+LUC +RFP 2024/5/20 6:51:37
- HuNS1 人多发性骨髓瘤细胞 2024/5/19 21:48:17
- HuNS1+LUC 人多发性骨髓瘤细胞+LUC 2024/5/19 21:44:57
- HuNS1+LUC +RFP人多发性骨髓瘤细胞+LUC+RFP 2024/5/19 21:36:22
- HuNS1+LUC +GFP人多发性骨髓瘤细胞+LUC+GFP 2024/5/19 21:28:21
- HULEC-5a 人肺微血管内皮细胞 2024/5/19 21:22:54
- HULEC-5a +LUC人肺微血管内皮细胞+LUC 2024/5/19 21:12:55
- RL人B细胞非霍奇金淋巴瘤细胞 2024/5/19 21:05:31
- MD 人脾细胞 2024/5/19 21:00:54
- MD +LUC人脾细胞 +LUC 2024/5/19 20:58:50
- MD +LUC+RFP人脾细胞 +LUC+RFP 2024/5/19 20:56:03
- MD +LUC+GFP人脾细胞 +LUC+GFP 2024/5/19 20:50:51
- RC人B淋巴瘤细胞 2024/5/19 20:46:51
- RC+LUC+RFP人B淋巴瘤细胞+LUC+RFP 2024/5/19 20:43:49
- RC+LUC+GFP人B淋巴瘤细胞+LUC+GFP 2024/5/19 20:40:32
- SW 684 人纤维肉瘤细胞 2024/5/19 20:37:16
- SW 684 +LUC人纤维肉瘤细胞 +LUC 2024/5/19 20:02:18
- SW 684 +LUC+RFP人纤维肉瘤细胞 +LUC+RFP 2024/5/19 19:58:58
- SW 684 +LUC+GFP人纤维肉瘤细胞 +LUC+GFP 2024/5/19 19:55:44
- BICR3 人舌鳞状细胞癌 2024/5/19 19:52:13
- BICR3 +LUC人舌鳞状细胞癌+LUC 2024/5/19 19:47:55
- BICR3 +LUC+RFP人舌鳞状细胞癌+LUC+RFP 2024/5/19 19:36:41
- BICR3 +LUC+GFP人舌鳞状细胞癌+LUC+GFP 2024/5/19 19:32:17
- OE19+LUC人食管癌细胞+LUC 2024/5/19 19:22:57
- OE19+LUC+RFP人食管癌细胞+LUC+RFP 2024/5/19 19:19:47
- OE19+LUC+GFP人食管癌细胞+LUC+GFP 2024/5/19 19:16:25
- SNU-601 人印戒细胞胃腺癌 2024/5/19 19:13:36
- SNU-601 +LUC人印戒细胞胃腺癌+LUC 2024/5/19 19:10:09
- SNU-601 +LUC+RFP人印戒细胞胃腺癌+LUC+RFP 2024/5/19 18:59:35
- SNU-601 +LUC+GFP人印戒细胞胃腺癌+LUC+GFP 2024/5/19 18:56:45