产品展示
场发射扫描俄歇纳米探针SAM
点击次数：807发布时间：2009/11/2
更新日期：2012/3/8 16:46:51
生 产 地：美国
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详细内容
技术参数
1.电子束径<6nm
2.灵敏度〉700 KCPS(10KV.10nA)
3.能量分辨率<0.5%
4.信噪比〉700:1(10KV.10nA)
5.样品台φ25-60mm
主要特点
1.场发射电子枪
2.筒镜分析器（CMA）和同轴电子枪，无阴影效应
3.多道检测器（8）
4.全自动样品台
仪器介绍
分析对象：无机，金属陶瓷半导体材料。
获得信息：元素信息
点线面深度剖析三维元素分布信息。
可提供SEM、AES、SAM分析。
1.电子束径<6nm
2.灵敏度〉700 KCPS(10KV.10nA)
3.能量分辨率<0.5%
4.信噪比〉700:1(10KV.10nA)
5.样品台φ25-60mm
主要特点
1.场发射电子枪
2.筒镜分析器（CMA）和同轴电子枪，无阴影效应
3.多道检测器（8）
4.全自动样品台
仪器介绍
分析对象：无机，金属陶瓷半导体材料。
获得信息：元素信息
点线面深度剖析三维元素分布信息。
可提供SEM、AES、SAM分析。
