压力变送器YSZ-334
该压力变送器系采用进口扩散硅压力传感器和专用集成元件制成的压力变送器。适用于工业过和中测量多种流体介质的压力，将压力参数转换成二线制式4～20mA。DC的标准直流信号输出，以便于相应的显示仪和检测装置配套使用，实现对压力的自动检测或控制。 该压力变送器是一种固态力变送器。系用先进的微机械加工工艺制成的硅膜片上扩散四个电阻形成四臂式惠斯登电桥组成压阻式力敏器件，器件在激励电流作用下，将被测压力作用于硅膜片上形成的应力转换成与被测压力成正比的电压输出信号。 CA-2000呼吸式酒精检测仪|CA-2000| 呼吸式酒精检测仪|CA-2000| LR-20A2通道噪音信号水平记录仪|LR-20A| 2通道噪音信号水平记录仪|LR-20A| LR-07噪音信号水平记录|LR-07| 噪音信号水平记录|LR-07| DA-408通道噪音信号记录仪|DA-40| 8通道噪音信号记录仪|DA-40| AV-12测振分析仪|AV-12| 测振分析仪|AV-12| UV-16测振仪|UV-16| 测振仪|UV-16| UV-15振动分析仪/测振仪|UV-15| 振动分析仪/测振仪|UV-15| SB-8002现场动平衡仪|SB-8002| 现场动平衡仪|SB-8002| SB-8001现场动平衡仪|SB-8001| 现场动平衡仪|SB-8001| DT-725经济型频闪仪|DT-725| 经济型频闪仪|DT-725|
压力变送器YSZ-333
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该压力变送器系采用进口扩散硅压力传感器和专用集成元件制成的压力变送器。适用于工业过和中测量多种流体介质的压力，将压力参数转换成二线制式4～20mA。DC的标准直流信号输出，以便于相应的显示仪和检测装置配套使用，实现对压力的自动检测或控制。 该压力变送器是一种固态力变送器。系用先进的微机械加工工艺制成的硅膜片上扩散四个电阻形成四臂式惠斯登电桥组成压阻式力敏器件，器件在激励电流作用下，将被测压力作用于硅膜片上形成的应力转换成与被测压力成正比的电压输出信号。
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压力变送器YSZ-100
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精确度等级：输出信号0.5级，现场指示1.5级。测量范围：0～0.06；0～0.1；0～0.16；0～0.25；0～0.4；0～0.6；0～1.0；0～1.6；0～２.5；0～4；0～6；0～10；0～16；0～25；0～40；-0.01～0。输出信号：二线制4～20mA.D.C。工作电源电压：12～32V.D.C（仪表接线端之间）。使用温度：-10～+70℃。温度影响：不大于±0.5%/10℃。外壳保护等级：IP64。重量：约0.7KG
该压力变送器，主要适用于工业过程和测量系统中用于测量各种非结晶和非凝固性的无腐蚀作用的流体介质的压力或负压。本仪表既能将被测介质的压力值转换成标准直流信号，以便较长距离传送测量值，而最终能在控制室进行配套，以实现生产过程的自动控制与检测，又具有机械式指针直接指示压力值，以便于现场工艺检查与调校。本仪表的机械指示结构采用弹簧管测压的结构，变送器电气部分采用进口OEM扩散硅压力传感器作为压力??电量转换元件，仪表外壳采用不锈钢制造。欢迎选购YSZ-100压力变送器 ，我们有优势的价格，优质的服务！公司承诺，所有商品保证原装正品，一年保修，终身维护！
压力变送器YSZ-30
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该压力变送器系采用进口扩散硅压力传感器和专用集成元件制成的压力变送器。适用于工业过和中测量多种流体介质的压力，将压力参数转换成二线制式4～20mA。DC的标准直流信号输出，以便于相应的显示仪和检测装置配套使用，实现对压力的自动检测或控制。
该压力变送器是一种固态力变送器。系用先进的微机械加工工艺制成的硅膜片上扩散四个电阻形成四臂式惠斯登电桥组成压阻式力敏器件，器件在激励电流作用下，将被测压力作用于硅膜片上形成的应力转换成与被测压力成正比的电压输出信号。
先进的固态化元件所设计的，二线制14~20mA输出的电子放大嚣电路板，置于不锈钢外壳内，并灌注硅橡胶，保证了抗振动，抗冲击和耐湿性能。
电子线路设计有反向二级管、穿心式电容式及齐纳二级管，从而获得高性能的反向性和过电压保护以及抗射频抗电磁干扰性能。
压力变送器的测压元件带316不锈钢隔膜膜片，并经充硅油作传压介质，形成完整的基芯组件。被测介质作用于隔离膜片上，再经硅油传递压力至硅应变膜片上，则保证了仪表稳定性及扩展被测介质的适用能力，适用于测量与316不锈钢兼容的腐蚀性液体和气体的压力。
主要技术指标：测量范围：0~0.1MPa至0~40MPa各档量程0~-0.1MPa输出信号：二线制4~20mA.D.C供电电源：压力变送器两端电压12~32V.D.C量程与零点可调量：测量范围的±10%使用环境条件：温度-10~+55℃，相对湿度≤90%精确度等级：0.5重复性：优于0.2%抗过载能力：2倍量程（准静态）温度影响量：不大于0。5%/10℃电源影响量：小于0.05%/v负载变化影响量：小于0.02%/100Ω安装位置影响量：小于0.1%重量：约0.2Kgf