深圳市三经伟创实业发展有限公司研发生产的高速晶体管测试分选机，是国内首家无落料等待，机械，测试系统一体化，高效率、高精度的自动化专利产品。直线送料采用无振动皮带传送,速度可达1000PCS/MIN.测试.落料采用分割器圆盘结构,速度最高可达250PCS/MIN。经测试后不同参数的晶体管,落入事先设定的落料箱.该分选机机械高速运行稳定,故障率底。测试系统是本公司与日本某公司合作研发的新成果,测试功能完全.其测试精度、稳定性及兼容性高于目前市场上普遍使用的日本高级测试系统。该套设备每小时最高产能可达到15K,成为该行业最具性价比的产品。
机械工作原理测试产品范围：to-92 to-126 to-220 to-251 to-252 to-3p 被测试元件通过振动盘振动送料,进入无振动直线送料系统,经入料夹传送至分割器圆盘夹。在测试工位经过测试后,再由圆盘夹传送至相应的落料口,气缸开夹落料,被测试元件经落料管道进入指定的分料箱.测试不良的,进入废料箱。
机器特点
一、 平送送料采用皮带传送,无振动,速度快,稳定。
二、 圆盘式夹料爪采用分割器传动,精准、稳定,故障率极低。
三、 所有功能测试只需要两道测试工位,耐高压,测试结果精确。
四、 测试分类可选择性高,共28个分料箱,可设置27个分类。
五、 经测试过的不同参数元件经过相应的落料管道进入分料箱,无落料等待时间,极高的提高了工作效率。
六、 本设备适用测试范围:TO-92、TO-92S、TO-92L、TO-126、TO-220、TO-251、TO-252、TO-220、TO-3P等封装类型的分立器件分选测试、兼容性强。
七、 测试系统除测试电压,电流等基本参数外,还可测试热阻,T/S值,IC测试电流最高达到20A。
八、 触摸式平板电脑操作系统,无键盘,无鼠标.操作简单,数据集中。
技术参数
机械尺寸:1068LX580WX1050H(mm)
机械重量:约150Kg
工作电压:220V 50/60HZ
功率:约1KW
使用气压:4-5Kg/
BS-1000晶体管测试系统是按国际有关晶体管测试原理和实验方法标准－－-GB4587、GB12300.GJB128A及行业标准SJ/T10415设计制造的,它采用先进的微机控制技术,在测试中能对测试条件自行设定,测试结果自动分档,自动统计及自动加功率(加温)测试。其测试击穿电压可达100V,IC测试电流达20A。系统还能测定BVceo、BVcbo的软硬击穿特性及HFE的线性度K,对HFE、Vces和BVceo等主要参数可用三个不同测试条件一次性完成测试。本系统还可测试晶体管重要的最大额定电流指标参数IC及△Vbe、Rth等功率性能参数。系统可测NON、PNP和达林顿晶体管,还可测可控硅(THYRISTOR)。场效应管(VDMOS)、二极管和稳压管。本系统充分考虑了器件生产企业的要求,实现高稳定、高速度、高精度三大特点,一台测试系统可以同时连接5台机械手工作,是一台功能强大的晶体管综合测试系统。
工作原理
系统由微机控制程控电压源、程控电压源,取样电路和切换电路组成。微机根据设定条件自动调整程控源,施加于被测晶体管.再由采样电路采样,经A/D转换于微机显示。
使用条件
温度:10~30℃
相对湿度:20%~75%RH(30℃时)
大气压力:86~106Kpa
工作电源:220V±10%AC,50Hz±10%周围无强电源干扰。
技术指标
1、程控电压 / 电流源IⅡ，（PMU1，PMU2） 精度±0.1% a.电压：±0~20.000V 16位D / A转换、16位A / D采样、量程自动切换 b.电流：±0~2.0000A 16位D / A转换、16位A / D采样、量程自动切换 2、程控电压 / 电流源（DPS） 精度±0.5% a.电压： 0~30.00V 12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换 b.电流： 0~20.00A 12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换 3、程控高压源： （DDS） 精度±0.5%a.电压：20~1000V 12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换 b.电流：0~20.00mA 12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换 测试参数 4.1、击穿电压测试(BVcbo,BVceo)： a.测试条件：IC(IR) < 20mA， b.测试范围：0~1000V c.精 度：<±（1% + 1digit）4.2、 击穿电压测试(BVebo)： a.测试条件： Ib < 50mA b.测试范围： 0~20V c.精 度：<±（0.1% + 1digit） 5、漏电流测试 a.测试条件：Vcb、Vce、Vr：0~1000V，Veb≤20V b.测试范围：0.01uA~10mA c.精 度：<±（1%+1digit） 6、HFE测试 a.测试条件：IC≤20A，Vce=1~30V，Ib=1uA~2A b.测试范围：≥3 c.精 度：<±（1%+1digit） 7、Vbe、VF测试 a.测试条件：Ie（IF）≤1.0000A b.测试范围：0~20.000V c.精 度：<±（0.1%+2digit） 8、Vces、Vbes、Vbef、Vdf、VTM测试 a.测试条件：IC≤20A Ib≤1.0A Vce=1~30V b.测试范围：0~30.000V c.精 度：<±（1%+1digit） 9、△Vbe、△Icbo、△HFE测试 a.加温功率PT：1W~100W IC（Ie）≤5A Is≤0~100mA b.加功率时间： TP=0~1000ms Td=100~300us c.精 度：<±（1%+2igit）
