主要技术参数
范围:-300度 重复性:0.2度 最小读数单位:0.1度
技术指标:
1.DTA量程:±10~±1000uV
2.室温-1100℃
3.配联想电脑
主要特点
定点热分析空间分辨率:sub-100nm * 直接能够『Add-On』所有 AFM * 呈像模式:接触式和非接触式,以获得区域 AFM 形貌 * 同时进行 μ-DTA/μ-TMA 分析以进行微区材料热分析表征 * 定点热分析:膨胀,Tg,软化和熔融 * 温度范围:室温 ~ 500° C * 升温/降温速率:0.1~ 1,500° C/分钟 * 应用于:热固性树脂,高分子混炼,药物,等相变化,热物性,材料接口分析
仪器介绍
微热分析 (μTATM) 技术结合扫描热成像 (SThM) 于『原子力显微镜 - AFM』, 而将原子力显微镜的一般探针以特殊热探针予以取代。这种特殊设计的热探针通过电流时, 除了提供热源也能测量阻抗。首先, ac 和 dc 热性质成像 (阻抗加热组件探头于一提供温度的振荡但同时维持固定的平均温度) 结合机械测量微TMA『μ-TMA』和微调幅式 DTA 『μ-MTDTA』分析选择的『微区面积』的热性质。 结合扫描热成像 (SThM) 和原子力显微镜 (AFM) 的技术使 得『微热分析 – μ-TA』证明在材料科学、药物学、微电子 产品和生物科技系统皆可以有广泛的应用。 样品既可以用探针做微区加热也可以配合热平台做整个样品的加热, 甚至于两种的结合使用。 利用温度的变化可以增加更多信息的获得, 尤其是利用热卡式和机械方式测量材料的物理性质, 计划进一步利用附加红外线放射以产生红外线光谱和利用 GC-MS 分析经热裂解产生出来的分解气体, 必会使得『微热分析 – μ-TA』成为高分辨的微区表征分析的工具。
GQ-3S碳硅分析仪 技术参数:1、应用功能:对白口、灰口铸铁进行C%、Si%、CEL、SC、△T、△TM、等测量,同时还附加对非合金铸铁的RM、HB、Z/H、及MEC等参数的计算 2、显示数字高度:500mm 3、温度补偿范围:0-15℃ 4、配套样杯类型:K型 5、测量精度:±1℃ 6、显示温度单位:华氏温度或摄氏温度可设置 7、测量最大时间:240秒 8、测量状态显示:仪表上“准备”绿灯、“测量”黄灯、“完成”红灯循环显示 9、电源要求:220V,50-60Hz,30VA左右 10、仪表防护标准:IP65标准防护 11、EMC标准:执行EN50081-2及EN50082-2抗干扰性标准12、测温范围:1250℃ ~1350℃ 测量范围(非合金材质): 碳当量:3.2%~4.8%±0.047%碳含量:2.1%~4.2%±0.039%硅含量:0.6%~3.0%±0.1%
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横坐标轴可选择温度或时间作标尺 纵坐标轴可选择绝对重量或百分比作标尺 内置天平,自动测量样品初始重量 液晶实时显示炉温与样品温度、质量、气路状态等 步冷曲线功能 结晶动力学 DSC数据 DSC测量范围 ±1mW ~±100mW DSC精度 ±0.1 µW 温度数据 温度范围 HCT-1:室温-1150℃ HCT-2 :室温-1250℃ HCT-3:室温-1450℃ 温度度 ±0.1℃ 升温速率 0.1℃/min至80℃/min 天平数据 测量范围 1mg至200mg更换支撑杆可达5g 解析度 0.1µg 热重噪声 <0.1µg 真空度(仪器本身有真空密封措施) 选配真空机组后可达2.66×10-2pa 气氛控制系统 采用质量流量控制器(可以定制耐各种腐蚀性气体的气氛控制系统) 恒温控制器;恒温气相色谱、质谱连接头;恒温带(选配) 恒温范围:0-400℃ 测量范围 ±10µv 至±2000µv DTA解析度 0.01µv 坩 埚 标准配置:陶瓷坩埚0.06ml或0.12ml 选择配置:铝坩埚、石墨坩埚、石英坩埚、铂金坩埚