电子束曝光系统(electron beam lithography, EBL)是一种利用电子束在工件面上扫描直接产生图形的装置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近,美国JC Nabity Lithography Systems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置(Nanometer Pattern Generation System纳米图形发生系统,简称NPGS,又称电子束微影系统)。电子束曝光技术具有可直接刻画精细图案的优点,且高能电子束的波长短(< 1 nm),可避免绕射效应的困扰,是实验室制作微小纳米电子元件理想选择。相对于购买昂贵的用电子束曝光机台,以既有的SEM等为基础,外加电子束控制系统,透过电脑介面控制电子显微镜中电子束之矢量扫描,以进行直接刻画图案,在造价方面可大幅节省,且兼具原SEM 的观测功能,在功能与价格方面均具有优势。由于其具有高分辨率以及低成本等特点,在北美研究机构中,JC Nabity的NPGS是非常热销的配套于扫描电镜的电子束微影曝光系统,而且它的应用在各地越来越广泛。NPGS的技术目标是提供一个功能强大的多样化简易操作系统,结合使用市面上已有的扫描电镜、扫描透射电镜或聚焦离子束装置,用来实现艺术的电子束或离子束平版印刷技术。NPGS能成功满足这个目的,得到了当众多用户的强烈推荐和一致肯定。一. 技术描述:为满足纳米电子束曝光的要求,JC Nabity的NPGS系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路,并采用PC机控制。PC机通过图形发生器和数模转换电路去驱动SEM等仪器的扫描线圈,从而使电子束偏转并控制束闸的通断。通过NPGS可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台,还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件也可以新建或导入多种通用格式的曝光图形。(一) 电子源(Electron Source)曝照所需电子束是由既有的SEM、STEM或FIB产生的电子束(离子束)提供。(二) 电子束扫描控制(Beam Scanning Control)电子射出后,受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动,并受中轴周围磁透镜(magnetic lens)作用形成聚焦电子束而对样本表面进行扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描(raster scan)与矢量扫描(vector scan)。循序扫描是控制电子束在既定的扫描范围内进行逐点逐行的扫描,扫描的点距与行距由程式控制,而当扫描到有微影图案的区域时,电子束开启进行曝光,而当扫描到无图案区域时,电子束被阻断;矢量扫描则是直接将电子束移动到扫描范围内有图案的区域后开启电子束进行曝光,所需时间较少。扫描过程中,电子束的开启与阻断是由电子束阻断器(beam blanker)所控制。电子束阻断器通常安装在磁透镜组上方,其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。(三) 阻剂(光阻)阻剂(resist)是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。高能电子束的照射会改变阻剂材料的特性,再经过显影(development)后,曝照(负阻剂)或未曝照(正阻剂)的区域将会留在基材表面,显出所设计的微影图案,而后续的制程将可进一步将此图案转移到阻剂以下的基材中。PMMA(poly-methyl methacrylate)是电子束微影中很常用的正阻剂,是由单体甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate, MMA)经聚合反应而成。用在电子阻剂的PMMA 通常分子量在数万至数十万之间,受电子束照射的区域PMMA 分子量将变成数百至数千,在显影时低分子量与高分子量PMMA 溶解度的对比非常大。负阻剂方面,多半由聚合物的单体构成。在电子束曝照的过程中会产生聚合反应形成长链或交叉链结(crosslinking)聚合物,所产生的聚合物较不易被显影液溶解因而在显影后会留在基板表面形成微影图案。目常用的负阻剂为化学倍增式阻剂(chemically amplified resist),经电子束曝照后产生氢离子催化链结反应,具有高解析度、高感度,且抗蚀刻性高。(四) 基本工序电子束微影曝光技术的基本工序与光微影曝光技术相似,从上阻、曝照到显影,各步骤的参数(如温度、时间等等)均有赖于使用者视需要进行校对与调整。二. 主要技术指标:型号:NPGS细线宽(μm):根据SEM小束斑(μm):根据SEM扫描场:可调加速电压:根据SEM,一般为0-40kV速度:5MHz(可选6MHz)A. 硬件:微影控制介面卡:NPGS PCI-516A High Speed Lithography Board,high resolution (0.25%)控制电脑:Pentium IV 3.0GHz/ 512Mb RAM/ 80G HD/ Windows XP皮可安培计:KEITHLEY 6485 PicoammeterB. 软件:微影控制软件 NPGS V9.1 for Windows2000 或 XP 图案设计软件 DesignCAD LT 2000 for Windows三. 应用简述NPGS电镜改装系统能够制备出具有高深宽比的微细结构纳米线条,从而为微电子域如高精度掩模制作、微机电器件制造、新型IC研发等相关的微/纳加工技术提供了新的方法。NPGS系统作为制作纳米尺度的微小结构与电子元件的技术平台,以此为基础可与各种制程技术与应用结合。应用范围和域取决于客户的现有资源,例如: NPGS电子束曝光系统可与等离子应用技术做很有效的整合,进行各项等离子制程应用的开发研究,简述如下:(一) 半导体元件制程等离子制程已广泛应用于当半导体元件制程,可视为电子束微影曝光技术的下游工程。例如:(1) 等离子刻蚀(plasma etching)(2) 等离子气相薄膜沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)(3) 溅镀(sputtering)(二) 微机电元件制程(Semiconductor Processing)微机电元件在制程上与传统半导体元件制作有其差异性。就等离子相关制程而言,深刻蚀(deep etching)是主要的应用,其目标往往是完成深宽比达到102 等的深沟刻蚀或晶圆穿透刻蚀。而为达成高深宽比,深刻蚀采用二种气体等离子交替的过程。刻蚀完成后可轻易以氧等离子去除侧壁覆盖之高分子。在微机电元件制作上,深刻蚀可与电子束微影曝光技术密切结合。电子束微影曝光技术在图案设计上之自由度十分符合复杂多变化的微机电元件构图。一旦完成图案定义,将转由深刻蚀技术将图案转移到晶圆基板。
设备型号 | FC/BJD-2000 | FC/BCD-2800 | FC-3800 | FC-4400 |
2inch 晶圆 | 42 | N/A | N/A | N/A |
3inch 晶圆 | 17 | 47 | N/A | N/A |
100mm晶圆 | 13 | 25 | 53 | 55 |
150mm晶圆 | 5 | 12 | 25 | 30 |
200mm晶圆 | N/A | 6 | 14 | 15 |
联系人:张先生 139- (#qq.com)
供应真空电子束焊机真空泵,电子束在配置大路通DLT.V0300真空泵的真空环境里焊接因具有不用焊条、不易氧化、工艺重复性好及热变形量小的优点而广泛应用于航空航天、原子能、国防及军工、汽车和电气电工仪表等众多行业。电子束焊接要求真空度很高,一般是需要配置多台真空泵才能达到要求,大路通DLT.V0300真空泵是一款结构紧凑,坚固耐用,安全环保的真空泵,转子具有良好的几何对称性,故振动小,运转平稳,真空泵高,所以多作为真空电子束焊机的前级泵配置。本公司技术人员集多年的行业应用经验,借鉴多款欧美产品的优点,结合中国用户的使用维护习惯而独立开发的产品.选用优质配套件,采用先进的加工装配工艺,确保产品的高品质及可靠性.DLT.V0300真空泵能长期不间断运行.DLT.V0300真空泵参数抽气速率: 300立方米/小时极限压力: 0.1mbar电 源:380V 电机功率: 7.5KW重量: 约210KG可按应用要求配置多种附件, 体积紧凑,运行宁静,尤其适合各类机械设备配套.产品特点:1.设计精密.结构坚固.重量轻.易于安装及维护.1.低噪音,低震动,工作环境不会受影响 2.内置高效油雾过滤器,所排出的气体不含油雾 3.采用风冷却,但较大型的真空泵配有冷却风管,利用风扇将风管内的润滑油冷却,提高冷却效果 4.内置止回阀及气镇阀,可避免停机后泵逆转而造成油逆流及避免高真空环境下,空气所含水气经压缩凝结成水点,造成润滑油乳化变质5.抽风量强劲,极限真空可达到0.1mbar(10Pa)6.运转声音小.大路通真空泵已普遍应用于各类仪器真空包装,橡胶和塑料工业上的真空吸塑成形,印刷工业上的纸张输送,各类铸件的真空浸渍防漏,机械加工上的真空夹具,电子半导体工业上的元器件真空装夹定位,化工上的真空干燥,过滤,大型机械零件在空真状态下的动平衡试验以及医院手术室的真空吸引等在本型泵所能达到的真空范围的各种真空处理。适用机械:硫化机/加硫机/吸塑机/层压机/橡胶硫化机/精雕机/自动化机械手/吸附加工/真空贴膜机/食品包装机/线路板/薄膜开关/模具抽真空/真空机床吸盘/雕铣机/高光机/CD纹机/数控批花机/含浸机/浸漆机/破波机/脱泡机/灌胶机/点胶机/注型机/电子束焊机
技术参数
1.电子束源&电源 •单个或者可自由切换换电子束源: --蒸发室数量 1 ~ 12(标配: 4, 6) --坩埚容量:7 ~ 40 cc (最大可达200 cc) ----标准:25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket) ----最大:200 cc (156cc for UHV) 可用于长时间的沉积 •偏转角度:180º, 270º •输出功率:6, 10, 15, 20 kW •支持两个或者三个电子束源在一个系统上 •可连续或者同时沉积两种或三种材料 •高速率沉积 2.薄膜沉积控制: •IC-5 ( or XTC, XTM) 和计算机控制 --沉积过程参数可控 --石英晶体振荡传感器 --光学检测系统用于光学多层薄膜沉积:测量波长范围350-2000 nm,分辨率1 nm •薄膜厚度检测和处理过程可通过计算机程序控制 •薄膜厚度检测和沉积速率可通过计算机程序控制 --支持大面积沉积 --支持在线电子束蒸发沉积 --基底尺寸:20~100英寸 --薄膜均匀性 <±1.0 to 5.0 % 3.真空腔体: •圆柱形腔体 --直径:φ500 ~ 1,500 mm --高度:800 ~ 1500 mm •方形腔体 --根据客户的需求定制 4.真空泵和测量装置: •低真空:干泵和convectron真空规 •高真空:涡轮分子泵,低温泵和离子规 •超高真空:双级涡轮分子泵,离子泵和离子规 5.控制系统PLC和 触摸屏计算机: •硬件: PLC, 触摸屏计算机 --包括模拟和数字输入/输出卡 --显示器: LCD •自动和手动程序控制 --程序控制:加载,编辑和保存 --程序激活控制: ----泵抽真空,蒸发沉积,加热, 旋转等 ----膜厚度检测和控制多层薄膜沉积 ----系统状态,数据加载等 ----问题解答和联动状态
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主要特点
扩展功能: •质量流量控制器:反应和等离子体辅助惰性气体控制 •离子源和控制器:等离子体辅助沉积 •射频电源:基底预先处理 •温度控制器:基底加热 •热蒸发器:1 or 2 boat •蒸镀源cell:1 or 2 for doping •冷却器:系统冷却
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全球专业的沉积设备制造商,为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案:电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等; 电子束蒸发系统: 1.膜电子束蒸发系统E -Beam Evaporation System 2.高真空电子束蒸发系统High Vacuum E -Beam Evaporation System 3.超高真空电子束蒸发系统Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System 4.离子辅助蒸发系统Ion Beam Assisted Evaporation System 5.离子电镀系统Ion Plating System 6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System 7.在线电子束蒸发系统In-line E -Beam Evaporation System |
电子束实验仪 型号:M292648 | |
研究电子在电场和磁场中运动变化规律,可进行电偏转、电聚焦磁偏转、磁聚焦、电子荷质比实验。 1、一体化结构,有5只数显表独立显示各部分电压、电流,无须转换就可同时读数。 2、采用模块化设计,有完善的保护电路,配以高且带有护套的专用连接线,确保实验安全、、经久耐用。 3、配有可达3.5A的磁偏转电流源可方便地实现二次聚焦。 |
电子束演示仪采用8SJ31G型静电偏转阴极射线演示管。当该管各极加上工作电压后,从阴极射出具有能量的电子束,由于电子束是不可以用肉眼观察到的,所以通过将电子束加速增加其动量去轰击用特殊材料制作成的荧光屏幕,使屏幕发光,显示电子束的径迹。
仪器的主要用途:(1)演示加速后的电子,在没有外来电场或磁场的作用时,按直线运动。(2)观察电子束在电场的作用下发生偏转。(3)观察电子束在磁场中所受的洛仑兹力。(4)说明热电子发射现象。该仪器设计合理,体积小重量轻,使用方便,安全可靠,维护、维修极为便利。
二、技术性能:
2-1、加速电压:0~700伏 连续可调。
2-2、偏转电压:幅度为0~50伏 连续可调。
2-3、偏转方向:上、下、左、右四个方向。(电场作用)
2-4、显示方式:荧光屏幕显示电子束径迹。
2-5、电源:220V±10% 50Hz。
2-6、功耗:<30W。
2-7、工作环境:a)温度:0~40℃。
b)相对湿度:<85%。
2-8、连续工作时间:小时。