一、概述:锗单晶(棒料、晶片)电阻率测试仪
采用由四探针双电测量方法测试方阻和电阻率系统与高温试验箱结合配置专用的高温测试探针治具,满足半导体材料因温度变化对电阻值变化的测量要求,通过先进的测控软件可以显示出温度与电阻,电阻率,电导率数据的变化曲线,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。
二、适用行业:锗单晶(棒料、晶片)电阻率测试仪
广泛用于:生产企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻、电阻率和电导率数据.
三、功能介绍:液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;
本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。
测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.
双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。
四、技术参数资料 锗单晶(棒料、晶片)电阻率测试仪
1.方块电阻范围:10-4~2×105Ω/□
2.电阻率范围:10-5×106cm
3.测试电流范围:0.1μA ,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA
4.电流精度:±0.1%读数
5.电阻精度:≤0.3%
6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率
7.测试方式: 双电测量
8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:<30W
9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)
10. 最高温度: 1200℃可调节;冲温值:≤1-3℃;控温精度:±1°C
11、升温速度:9999分钟以内自由设定,一般10分钟内即可升到900℃;功率:3kw.
12、炉膛材料:采用复合陶瓷纤维材料,具有真空成型,高温不掉粉的特征。
13.专用测试PC软件一套,USB通讯接口,软件界面同步显示、分析、保存和打印数据!
14.选购:电脑和打印机
还有如下相关产品:FT-351高温四探针电阻率测试系统;FT-352导体材料高温电阻率测试系统; FT-353绝缘材料高温表面和体积电阻率测试系统
1、拉力测试测试范围可在0-100G;0-1KG;0-10KG进行选择; 2、推球测试测试范围可在250G 或 5KG进行选择; 3、芯片或CHIP推力测试范围可在测试到0-100公斤; 0-200KG进行选择; 4、镊子撕力测试头量程为100G 和5KG进行选择; 5、BGA拔球到0-100G;0-5KG进行选择;
率微粒表面沉积系统包括进的气溶胶雾化发生、静电分离及沉积技术,用于产生可溯源NIST的PSL球及加工过程颗粒沉积在晶片表面的标准晶片,用于研究不同折射稀疏对晶片检测系统的影响并标定检测系统,也可用于评价晶片干法/湿法清洗系统的性能。
仪器特点:
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标准单 DMA:0.08 – 1.0 µm
可选双DMA:0.03 – 3.0 µm
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应用说明:
特点
用途
规格参数
产品编码 | D-Think G02 |
芯片类型 | 可读写 |
工作频率(调制方式) | ASK, 134.2 KHz |
协议标准 | 符合 ISO 11785国际标准,符合 ISO 11784/FDX-B 国际标准 |
可写次数 | 大于 1,000,000 次 |
外型尺寸 | 直径 <= 2mm 长度 <= 8mm |
材料 | 生化涂层覆盖、生物玻璃,抗菌,抗过敏 |
防静电 | 防止静电击穿,耐压 5000V 以上 |
工作温度 | -20℃ - 85 ℃ |
存储温度 | -40℃ - 90 ℃ |
工作年限 | 大于20年 |
最大读取范围 * | 50-500 mm |
重量 | 0.07克 |
电源需求 | 不需要 |
率微粒表面沉积系统包括进的气溶胶雾化发生、静电分离及沉积技术,用于产生可溯源NIST的PSL球及加工过程颗粒沉积在晶片表面的标准晶片,用于研究不同折射稀疏对晶片检测系统的影响并标定检测系统,也可用于评价晶片干法/湿法清洗系统的性能。
仪器特点:
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标准单 DMA:0.08 – 1.0 µm
可选双DMA:0.03 – 3.0 µm
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1、故障率极低、抗干扰能力强、系统稳定性好。
2、全中文人机界面,10英寸TFT触摸屏,界面直观、操作简单。
3、高稳定度高压电源,保证射线稳定输出。
4、采用振动上料,排除人工理片造成的二次污染,大大降低人力资源,实现一人多机操作。
5、晶片方向自动识别,独创四方向旋转扫描,正方形晶片亦可辨向,不同厚度晶片切换无需重新设置放大器,辨向准确率极高。
6、全新的三点式测片台、托台设计,保证晶片测量精度。
7、系统具有管理和统计功能,适用于生产工艺相结合,数据可U盘或本机存贮,亦可打印。
8、机械采用强化设计,结构合理、性能稳定、易于维护,大大保证了测量精度。
9、 角度扫描采用进口伺服电机,较步进电机具有精度高、运行平稳、无丢步现象等。
10、独特的下料分选装置,落差低,晶片平稳滑落,有效降低了晶片破损率。分档准确率 100%。
11、高稳定的放大器电路设计,解决了零位漂移现象。
12、采用进口LED声光报警,可对设备运行及故障进行实时监控和必要的提示。
13、安全防护:自动光闸(仅在测片时开启),X光箱仓门保护,X光管温度保护,防X射线和防尘的 金属罩壳防护。
14、开机自动预热,自动延时关机,有效地保护X光管、延长使用寿命。
系列: | 石英晶体微天平 |
型号l | AC5AP14 |
电极材料: | 金/铬 |
标准频率: | 5.000MHz |
中心频率: | 5.003MHz |
晶片直径: | 13.67mm |
频率公差: | ±5KHz@25℃ |
晶体切型: | AT-CUT |
谐振阻抗: | ≤15Ω |
工作温度: | 25℃~+75℃ |
储存温度: | ﹣20℃~+85℃ |
储存温度: | RH 30%-50% |
包装: | 1 片/方盒(真空包装) |
外型: | 双面(如图) |
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