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JK9610AMOS管测试仪

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一、概述　　

JK9610A型MOS管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称电流约在2-85A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以测量击穿电VDSS、栅极开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性能十分的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量、操作简单、使用安全方便。

二、主要技术性能　　　　

1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V，精度：≤2.5% 。　　　　

2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。　　　　

3、栅极开启电压VGS（th）测量范围： 0—10V。精度：≤5% 。　　　　

4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调，精度：≤10 % 。　　　

　5、Gfs跨导测试范围：1—100 。

三、主要测试功能　　　　

1、MOS管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS（th）、跨导Gfs的测试。　　　　

2、IGBT的击穿电压V（BR）ces、栅极开启电压VGE（th）、跨导Gfs的测试。　　　　

3、MOS管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。　　　　

4、对其它更大电流和MOS管及IGBT的测试：（见下面介绍）。　　　

　5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。　　　　

6、压敏电阻电压的测试等。

四、测试盒与测试线　　　　

1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。　　　

　2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。

测试实例

型号

击穿电压

Vdss

开启电压

Vgs（th）

跨导S

Gfs

测试电流

标称电流

标称功率

封装

IRF640

基本参数

200V

2-4V

≥6.8

11A

18A

150W

TO-220

实测参数

225V

3.0V

11A

IRF1010

基本参数

60V

2-4V

≥69

50A

84A

200W

TO-220

实测参数

66V

3.2V

50A

IRF3205

基本参数

55V

2-4V

≥44

62A

110A

200W

TO-220

实测参数

60V

2.9V

60A

FQP70N08

基本参数

80V

2-4V

35A

70A

155W

TO-220

实测参数

86V

3.2V

35A

75NF75

基本参数

75V

2-4V

40A

80A

300W

TO-220

实测参数

81V

3.6V

40A

IRFP064

基本参数

55V

2-4V

≥42

59A

110A

200W

TO-3P

实测参数

67V

2.5V

60A

2SK1120

基本参数

1000V

2.5-5V

150W

TO-3P

实测参数

1086V

2.3V

G160N60

基本参数

600V

3.5-6.5V

80A

160A

250W

TO-247

实测参数

626V

3.9V

60A

H40T120

基本参数

1200V

5-6.5V

40A

75A

270W

TO-247

实测参数

1390V

5.7V

40A

60N170D

基本参数

1700V

3.5-7.5V

60A

200W

TO-247

实测参数

1798V

4.8V

60A

JK9610AJK9610A场效应管测试仪(MOS管测试仪)

详细说明

主要技术性能　　　　

1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V，精度：≤2.5% 。　　　　

2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。　　　　

3、栅极开启电压VGS（th）测量范围： 0—10V。精度：≤5% 。　　　　

4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调，精度：≤10 % 。　　　

　5、Gfs跨导测试范围：1—100 。

三、主要测试功能　　　　

1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS（th）、跨导Gfs的测试。　　　　

2、IGBT的击穿电压V（BR）ces、栅极开启电压VGE（th）、跨导Gfs的测试。　　　　

3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。　　　　

4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。　　　

　5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。　　　　

6、压敏电阻电压的测试等。

四、测试盒与测试线　　　　

1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。　　　

　2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。

测试实例

型号		击穿电压 Vdss	开启电压 Vgs（th）	跨导S Gfs	Gfs 测试电流	标称电流 ID	标称功率 PD	封装
IRF640	基本参数	200V	2-4V	≥6.8	11A	18A	150W	TO-220
	实测参数	225V	3.0V	12	11A
IRF1010	基本参数	60V	2-4V	≥69	50A	84A	200W	TO-220
	实测参数	66V	3.2V	67	50A
IRF3205	基本参数	55V	2-4V	≥44	62A	110A	200W	TO-220
	实测参数	60V	2.9V	68	60A
FQP70N08	基本参数	80V	2-4V	41	35A	70A	155W	TO-220
	实测参数	86V	3.2V	46	35A
75NF75	基本参数	75V	2-4V	20	40A	80A	300W	TO-220
	实测参数	81V	3.6V	52	40A
IRFP064	基本参数	55V	2-4V	≥42	59A	110A	200W	TO-3P
	实测参数	67V	2.5V	57	60A
2SK1120	基本参数	1000V	2.5-5V	4	4A	8A	150W	TO-3P
	实测参数	1086V	2.3V	5	4A
G160N60	基本参数	600V	3.5-6.5V	*	80A	160A	250W	TO-247
	实测参数	626V	3.9V	35	60A
H40T120	基本参数	1200V	5-6.5V	21	40A	75A	270W	TO-247
	实测参数	1390V	5.7V	20	40A
60N170D	基本参数	1700V	3.5-7.5V			60A	200W	TO-247
	实测参数	1798V	4.8V	30	60A

JK9610AMOS管测试盒

该公司产品分类： PM-83（三头）等离子表面处理机 PM-82（双头）等离子表面处理机 GM-2000等离子表面处理机 PM-V8等离子表面处理机等离子处理机 LCR数字电桥晶体管测试仪 MOS管测试仪元器件测试仪器 RC系列带电绕组温升测试仪 JK-X系列多路温度测试仪(多路温度巡检仪) 温度仪器仪表 KZA-III 系列叉车充电机 KZA系列智能充电机 TXR1010系列X射线高压电源 SVC系列单相高精度全自动交流稳压器 JSW系列三相精密净化交流稳压电源 JJW系列单相精密净化交流稳压器 YFT系列风光互补逆变电源 YFN系列正弦波逆变器(逆变电源)

QT2,晶体管图示仪,二极管测试仪,MOS管测试仪,IGBT测试仪

QT2晶体管图示仪及二手仪器销售维修

说明书下载

电路图纸下载

QT2型晶体管特性图示仪可根据需要测量半导体二极管、三极管的低频直流参数。
最大集电极电流可达50A，基本满足500W以下的半导体管的测试。
具备高压测试能力，可对3KV（5KV）\\以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试，其测试电流灵敏度可达到0.5uA/度。
基极阶梯信号具有脉冲阶梯输出，可测量二次击穿特性。

集电极扫描信号（输出电压范围/电流容量）三极管和二极管 0～10V / 50A （脉冲阶梯） 20A（平均值） 0～50V / 10A （平均值） 0～100V / 5A （平均值） 0～500V / 0.5A （平均值）二极管高压测试 0～5KV（3KV） / 5mA （最大）

基极阶梯信号

阶梯电流:1uA～200mA/级，分17档
阶梯电压:0.05～1V/级，分5档
阶梯波形:正常（100%），脉冲（10～40%）

Y轴偏转系数

集电极电流:1uA～5A/度，分21档
二极管电流:1～500uA/div，分9档
集电极及二极管电流倍率:×0.5

X轴偏转系数

集电极电压:10mV～50V/度，分12档
二极管电流:100～500V/度，分3档
基电极电压:10mV～1V/度，分7档

一般性能

显示面10×10div（1div=0.8cm）
视在功率约80VA
约300VA（最大功率）
外形尺寸 30×40×52cm
重量 30kg

反向击穿电压测试

VCBO 集电极 - 基极（发射极开路）
VEBO 发射极 - 基极（集电极开路）
VCEO 集电极 - 发射极（基极开路）
VCER 集电极 - 发射极（基极与发射极间电阻连接）
VCES 集电极 - 发射极（基极与发射极短路）

各种特性曲线

V_CE - I_C 共发射极（基极信号为变量）
I_B - I_C 共发射极
V_BE - I_B 共发射极
V_BE - I_O 共发射极

该公司产品分类：微波信号源 IQ调制信号源网络分析仪动态信号分析仪射频信号发生器视频分析仪音频分析仪探头电缆测试线电视信号发生器音频信号发生器噪声发生器任意波发生器函数信号源脉冲信号源 RF信号源高频信号源低频信号源信号发生器手持示波表二手数字示波器