镀膜机产品及厂家
小型蒸发镀膜仪，实验室气相沉积设备用于真空蒸发镀光学薄膜、有机物薄膜和金属薄膜、在衬底上沉积各单层金属 膜，主要用于蒸镀电及有机半导体材料的物理化学性能研究实验研究 。特别适合于高科技企业、科研单位和高校用于膜层研究和膜系开发。
更新时间:2025-10-16
小型蒸发镀膜仪，实验室气相沉积设备用于真空蒸发镀光学薄膜、有机物薄膜和金属薄膜、在衬底上沉积各单层金属 膜，主要用于蒸镀电及有机半导体材料的物理化学性能研究实验研究 。特别适合于高科技企业、科研单位和高校用于膜层研究和膜系开发。
更新时间:2025-10-16
浸涂机nadetech nd-dc是一种完全自动化的单元，用于通过浸涂法制造薄膜。其设计和可编程软件允许以高精度和可重复性控制和自动化每个沉积参数。nd-dc用于通过浸涂技术获得具有一层或多层的纳米涂层，例如溶胶-凝胶，聚合物层，自组装单层膜和各种生物膜。
更新时间:2025-10-15
全自动热蒸发镀碳仪蒸碳仪喷碳仪镀膜仪 纳米碳膜实验室仪器优势看得见：1. 7英寸彩色触摸屏，全数字显示，直观清晰；2. 具备脉冲加热和连续加热两种工作模式，适用各种不同的样品；3. 自动检测每根碳绳的状态，并在镀膜过程中自动切换；4. 每根碳绳使用会进行自动除气，确保碳膜的纯净度；5. 操作非常简单，多只需设置两个参数即可；
更新时间:2025-10-14
leica em ace600是优良的多用途高真空薄膜沉积系统，设计来根据您的fe-sem和tem应用的需要生产非常薄的，细粒度的和导电的金属和碳涂层，用于高分辨率分析。
更新时间:2025-10-14
英国oxford vacuum 电子束蒸发镀膜机vapour station 4,是一款微纳器件样品制备系统，为有机无机多源有气相分子沉积系统，高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各 种化合物、混合物单层或多层膜，具有高真空多源有机、金属电阻蒸发及手 套箱保护条件下器件后期制作，主要用于有机半导体材料的物理化学性能，研究实验、有机半导体器件的原理研究实验也可用于普通金属电蒸发镀膜究。
更新时间:2025-10-11
法国plassys微波等离子体化学气相沉积系统 ssdr 150 ，门用于合成 cvd 金刚石薄膜，能够制备高纯单晶(需高纯气源）、厚单晶、大单晶、多晶薄膜、光学窗口。ssdr150 不断优化的微波及等离子体设计，是一款可靠的、稳定的、长时间运行的金刚石薄膜生长系统，能够完美地适用于高校科研和企业生产。
更新时间:2025-10-11
英国hhv桌上型溅射镀膜仪bt150和bt300,新系列小型桌上系统，触摸屏显示控制，适合于sem及tem电镜样品制备及常规科研的全功能系统。
更新时间:2025-10-11
日立hitachi 离子溅射仪 mc1000,采用lcd触摸屏，可以更加简便地设定加工条件,可处理较厚或较大的样品(选配件),记忆功能可存储常用加工条件.
更新时间:2025-10-11
美国neocera pld 脉冲激光沉积系统 p180 , 一种用途广泛的、用于薄膜沉积以及纳米结构和纳米粒子合成的方法. ped 脉冲电子束沉积系统 ped-180,是高能脉冲 (100ns) 电子束 ( 约 1000 a,15 kev) 在靶材上穿透将近 1 um，使靶材快速蒸发形成等离子体。对靶材的非平衡提取（烧灼）使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在最佳条件下，靶材的化学计量与沉积
更新时间:2025-10-11
实验室流延薄膜机 单螺杆挤出机 小型流延薄膜机型号：aod-xh-432 设备规数 型号aod-xh-25 单螺杆挤出机 机架采用型钢焊接而成,并经回应力处理,有较高的钢性,变形小。料筒及螺杆 标配：3d混炼头带分散性单螺杆料筒及螺杆
更新时间:2025-10-07
比利时almeco鼓风机，德国总部直接采购，原装，货期，支持技术选型，为您提供一对一优势解决方案：赫尔纳大连公司在中国设有10个办事处，可为您提供的维修服务。
更新时间:2025-09-27
技术参数：l自动的换气与泄气功能，可以得到一致的膜厚，和佳的导电喷镀效果。l通过高效低压直流磁控头进行冷态精细的喷镀过程，避免样品表面受损。
更新时间:2025-09-27
jc503-eb100提拉镀膜机是一款基本型提拉镀膜机，可自动完成在镀膜溶液中多次镀膜之需求，重复镀膜次数可达999次。所有运行参数如运行速度，提拉/浸渍高度，浸渍时间，间隔时间，重复镀膜次数等均可在触屏上方便设置。
更新时间:2025-09-26
xf803-931浸渍提拉镀膜机是适用于溶胶-凝胶法（sol--gel法，简称sg法）制备薄膜的浸渍提拉法的一款高精度仪器。核心部件采用进口配件，精准控制提拉速度，多次重复镀膜无位置偏差。提拉速度、提拉高度、浸渍时间、循环镀膜次数、下降速度、停留时间均可以通过程序精确控制。适用于玻璃、si（100）、si（111）、蓝宝石（al2o3）、瓷片以及树脂基板等常用基板。
更新时间:2025-09-26
欧尼卡onick am-38带彩信版野生动物红外监测相机支持3000万像素高清拍照，4k高清视频拍摄。仪器启动反应快，成像清晰，色彩真实。大可支持256gb sd存储卡，兼容各种品牌。可搭载我司自主研发的云平台图像处理系统（软著登记号：2022sr0370995），对抓拍到的图片及视频进行识别与分析，还可搭配手机app远程控制相机（软著登记号：2022sr0370994），远程控制修改参数，
更新时间:2025-09-25
六源有机无机联合蒸发镀膜设备适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等，可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作，也可用于大批量生产前的试验工作。opv系列真空蒸发镀膜与手套箱联合系统的用户群体为科研院所及实验室，将真空蒸发系统工作室置于glove box无水、无氧、无尘的超纯环境中，pvd与glove box硬件无缝对接，操控融合一体，广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、oled等研究领域。
更新时间:2025-09-25
多靶复合磁控溅射镀膜机，可满足合金膜、单层膜、多层膜、导电膜、非导电膜和反应溅射的需要，具有极高的实用性和通用性（三靶、垂直与共溅射合一、在线清洗基片等），能够提供高水平功能薄膜研制
更新时间:2025-09-11
纵向式cat-cvd设备ccv系列ccv series是a-si镀膜用的纵向式cvd设备。有30年以上的量产实绩。在各个chamber通过低压镀膜，得到高品质的膜质。
更新时间:2025-09-09
枚叶式pecvd设备cme-200e/400枚叶式pe-cvd设备cme-200e/400是适用于si系绝缘膜、barrier膜等成膜的量产用pecvd设备。
更新时间:2025-09-09
load-lock式plasma cvd设备 cc-200/400load-lock式plasma cvd设备cc-200/400是小型的使用便利的可对应从研究开发到量产的设备。
更新时间:2025-09-09
贝富克风机2hb730-ah26 贝富克高压风机，大风量 高压力。风量420立方压力-260/310mpar高压、大风量、低噪音、轻量化 采用铝合金材质，大幅降低重量，达到轻量化的目的。 马达为i.e.c设计（1hp以上），全闭外扇形铝框马达，特殊轴设计，可适合长时间使用。 特殊叶片设计，压力大、风量大、低噪音、寿命长
更新时间:2025-09-02
大风量风机 2xb730-h37风帕克风机 4kw 380v 风量每小时420立方 -260/310mpar高压、大风量、低噪音、轻量化 采用铝合金材质，大幅降低重量，达到轻量化的目的。 马达为i.e.c设计（1hp以上），全闭外扇形铝框马达，特殊轴设计，可适合长时间使用。 特殊叶片设计，压力大、风量大、低噪音、寿命长
更新时间:2025-09-02
除湿设备风机 2xb910-h07贝富克风机 高压力大风量 适用于切纸机、卷烟滤嘴成型机、电镀槽液搅拌、雾化干燥机、水处理曝气、丝网印刷机、照相制版机、注塑机自动上料烘干机、液体灌装机、电焊设备、电影机械、纸张运送、干洗衣服、清洗、空气除尘、干瓶、气体传送、送料、收集等方面。
更新时间:2025-09-02
上海伯东代理剥离成形电子束设备可以准确的控制蒸发速度, 因此薄膜厚度和均匀度皆小于 ±3％, 客制化的基板尺寸, 大直径可达 12寸晶圆, 腔体的限真空度约为 10-8 torr.
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理美国原装进口 kri 射频离子源 rficp 140 是一款紧凑的有栅离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 rficp 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理 syskey 台湾矽碁科技超高真空电子束蒸镀设备腔体限真空度约为 10-10torr, 针对超高真空和高温加热设计基板旋转镀膜机构, 使用陶瓷培林旋转, 并在内部做水冷循环来保护机构以确保长时间运转的稳定性, 可以提供高质量的薄膜, 薄膜均匀度小于 ±3％.
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理美国原装进口 kri 射频离子源 rficp 220 高能量栅离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 rficp 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 rficp 220 离子能量范围
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理 syskey 台湾矽碁科技电子束蒸镀设备是一种实用且高度可靠的系统, 蒸镀系统可针对量产使用单一坩埚也可以有多个坩埚来达到产品多层膜结构. 在基板乘载上针对半导体研究和大型设备设计, 单片和多片公自转的设计可以控制蒸发速率, 薄膜厚度和均匀度小于 +/- 3％. 腔体的限真空度约为 10-8 torr. 为了获得尽可能大的制程灵活性, 可以结合美国 kri 离子源进行离子辅助沉积或
更新时间:2025-08-18
上海伯东美国 kri 大口径射频离子源 rficp 380, 3层栅设计, 栅口径 38cm, 提供离子动能 100-1200ev 宽束离子束, 大离子束流 > 1000ma, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. 广泛应用于离子束刻蚀机.
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理超高真空磁控溅镀设备 uhv sputter 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池,科研等行业, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理原子层沉积设备可以精准的控制 ald 的制程, 薄膜的厚度和均匀度皆小于 +/- 1％, 广泛应用于 oled 和硅太阳能电池的钝化层, 微机电系统, 纳米电子学, 纳米孔结构薄膜, 光学薄膜, 薄膜封装技术等域.
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理美国原装进口 kri 霍尔离子源 eh 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eh 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理美国原装进口 kri 射频离子源 rficp 40 : 目 kri 射频离子源 rficp 系列尺寸小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 rficp 40 设计采用创新的栅技术用于研发和开发应用. 离子源 rficp 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 rficp 40 离子能量范围 100 至 1200ev,
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理美国原装进口 kri 霍尔离子源 eh 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eh 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
更新时间:2025-08-18
美国 kri 霍尔离子源 eh 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等的细微加工能力, 霍尔离子源 eh 可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护.
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理美国原装进口 kri 考夫曼型离子源 rficp 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 ma 离子流. 考夫曼型离子源 rficp 100 源直径19cm 安装在10”cf 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配
更新时间:2025-08-18
上海伯东代理的磁控共溅镀腔提供了准确控制多个磁控溅镀的制程条件, 加装美国 kri 离子源为客户提供更好质量的复合式薄膜.单片和多片式的loading chamber, 可节省其制程腔体的抽气时间, 进而节省整体实验时间. 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池等行业以及氧化物, 氮化物和金属材料的研究等.
更新时间:2025-08-18
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