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InGaAs-0.8/2.6um-1x1mm-AG8800~2600nm放大型可调增益铟镓砷光电探测器--红外延伸
800~2600nm放大型可调增益铟镓砷光电探测器--红外延伸我们的铟镓砷探测器 ,感光范围覆盖800nm~1700nm, 常用于 近红外光测量;放大型探测器,8档可调增益 ,定量化光电转换;动态范围宽 ,适用于各种光电开发场景 ,应用广泛
更新时间:
2025-12-15
PDA8A2(DP)320-1000nm放大型固定增益硅光电探测器
320-1000nm放大型固定增益硅光电探测器铟镓砷雪崩光电探测器(apd)设计用于提供比标准pin探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的apd之外,还提供具有可变增益(即m因子)和/或温度补偿的版本。
更新时间:
2025-12-15
320-1100nm放大型固定增益硅光电探测器
320-1100nm放大型固定增益硅光电探测器铟镓砷雪崩光电探测器(apd)设计用于提供比标准pin探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的apd之外,还提供具有可变增益(即m因子)和/或温度补偿的版本。
更新时间:
2025-12-15
太赫兹相机(0.05-0.7THz 64x64)|材料检测
太赫兹相机(0.05-0.7thz 64x64)|材料检测我们开发出一种用于制造新一代太赫兹成像半导体探测器阵列的技术。该探测器可在室温环境下工作,其阵列像素数量具备可扩展性。公司正于为科研与工业领域开发灵活的太赫兹成像解决方案。
更新时间:
2025-12-15
太赫兹非球面平凸聚光透镜(PTFE 聚四氟乙烯)
太赫兹非球面平凸聚光透镜(ptfe 聚四氟乙烯)作为现成的太赫兹成像解决方案的一部分,我们提供工作在 thz 频段的 tpx 和 ptfe 透镜及光学系统。塑料平凸透镜由聚四氟乙烯(纯白 ptfe,teflon®)制成,其介电常数较低,在 520 ghz 时约为 1.96,折射率为 1.4。
更新时间:
2025-12-15
MCT-PVI-3-1×12.5-6.5um MCT中红外非制冷光电探测器 PVI系列
2.5-6.5um mct中红外非制冷光电探测器 pvi系列pvi系列是基于复杂的mct异质结构的非制冷红外光电探测器,采用光学浸没的方式提高器件的性能参数,使其具有的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的z佳性能。
更新时间:
2025-12-15
IRPD5521Y-1.25-P-T-PG InGaAs光电二管模块 光谱响应800-1600nm
光谱响应范围 800-1600nm,速度 1.25gbps,带tia,5pin脚
更新时间:
2025-12-15
800~1700nm放大型可调增益铟镓砷光电探测器
800~1700nm放大型可调增益铟镓砷光电探测器我们的硅探测器 ,感光范围覆盖190nm~1100nm, 常用于紫外 与可见光测量;放大型探测器,8档可调增益 ,定量光电转换;动态范围宽 ,适用于各种光电开发场景 ,应用广泛;索雷博thorlabs同款 ,无缝兼容;性能 ,高性价比 ,quan方位技术支持; 提供非标定制服务。
更新时间:
2025-12-15
IGA-APD-GM104-R-TEC InGaAs盖革模式雪崩光电二管 光谱响应0.9-1.7μm
光谱响应范围0.9~1.7μm;响应度 @1550nm: 0.85 a/w; 6针to8 封装;smf-28e 光纤耦合;fc/apc, 带 tce
更新时间:
2025-12-15
C30902EH 硅Si高性能雪崩光电二管 400-1000nm 感光直径0.5mm 封装TO-18
感光面积:0.2mm2 感光直径:0.5mm 击穿电压:225v 结电容:1.6pf 暗电流:15na 增益:150 噪声电流:0.23pa/√hz 封装:to-18,平面窗口 峰值灵敏度波长:830 nm 响应时间: 响应度: 在830 nm为77 a/w 在900 nm处为65 a/w 上升/下降时间:0.5ns 温度系数:0.7v/°c 波长:400-1100nm
更新时间:
2025-12-15
APD-SI-905-0.5-LCC3 硅Si雪崩光电二管 905nm 400-1100nm 光敏面直径0.5mm
光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.5mm 封装:lcc3
更新时间:
2025-12-15
320~1100nm放大型可调增益硅光电探测器
320~1100nm放大型可调增益硅光电探测器我们的硅探测器 ,感光范围覆盖190nm~1100nm, 常用于紫外 与可见光测量;放大型探测器,8档可调增益 ,定量光电转换;动态范围宽 ,适用于各种光电开发场景 ,应用广泛;索雷博thorlabs同款 ,无缝兼容;性能 ,高性价比 ,quan方位技术支持; 提供非标定制服务。
更新时间:
2025-12-15
光电二管放大器混合器 350-1100nm/200-1100nm 封装30/TO-5
光谱范围350-100nm,响应度:(a/w)0.65@970nm, 有效面积(5.1mm2),封装形式30 / to-5
更新时间:
2025-12-15
InGaAs-0.8/2.6um-2x2mm-AG8800~2600nm放大型可调增益铟镓砷光电探测器--红外延伸
800~2600nm放大型可调增益铟镓砷光电探测器--红外延伸我们的铟镓砷探测器 ,感光范围覆盖800nm~1700nm, 常用于 近红外光测量;放大型探测器,8档可调增益 ,定量化光电转换;动态范围宽 ,适用于各种光电开发场景 ,应用广泛;
更新时间:
2025-12-15
UPD-30-VSG-PAlphalas UPD超快光电探测器320-900nm
上升时间:<30ps 带宽:>10ghz 光谱响应范围:320-900nm 量子效率@peak:40% 光敏面大小:200×200 / 0.04um/mm2 nep:3.0 × 10-15(w/√hz) 暗电流:0.1na 材料:gaas 输入方式:空间光输入 rf信号输出:sma
更新时间:
2025-12-15
PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90InAsSb 红外光伏探测器 非冷却非浸没 2.3um TO39
产品总览pva系列是基于inas1-xsbx合金的非冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合rohs指标要求
更新时间:
2025-12-15
GE-10X10-TO9 Ge锗超大光敏PIN光电二管 800-1800nm 直径10mm
光谱响应范围 800-1800nm;光敏面直径 10mm;响应度@1550nm 0.85 a/w; 光敏材料 ge;2pin脚
更新时间:
2025-12-15
GE-5X5-TO8 Ge锗大光敏PIN光电二管 800-1800nm 直径5mm
光谱响应范围 800-1800nm,直径 5mm,响应度@1550nm 0.85 a/w,2pin脚
更新时间:
2025-12-15
UPD-5N-IR2-PAlphalas UPD超快光电探测器(800-2600nm ,上升沿时间<200ps ,InGaAs;Polished; glass)
上升时间:<200ps 带宽:>0.3ghz 光谱响应范围:800-2600nm 量子效率@peak:70% 光敏面大小:300/0.07um/mm2 nep:7× 10-13(w/√hz) 暗电流:2000na 材料:ingaas 输入方式:空间光输入 rf信号输出:bnc
更新时间:
2025-12-15
UPD-300-SPAlphalas UPD超快光电探测器(320-1100nm <300ps上升沿时间 Si >1GHz 抛光玻璃)
alphalas upd系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25ghz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。
更新时间:
2025-12-15
ET-2070硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT
产品总览筱晓光子公司代理美国的eot(electro-optics technology)公司全线产品eot 的<10 ghz 光电探测器包含 pin 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。
更新时间:
2025-12-15
350~1100nm放大型可调增益硅光电探测器
350~1100nm放大型可调增益硅光电探测器我们的硅探测器 ,感光范围覆盖190nm~1100nm, 常用于紫外 与可见光测量;放大型探测器,8档可调增益 ,定量光电转换;动态范围宽 ,适用于各种光电开发场景 ,应用广泛;索雷博thorlabs同款 ,无缝兼容;性能 ,高性价比 ,quan方位技术支持; 提供非标定制服务。
更新时间:
2025-12-15
WL-IPD4B 数字集成光电二管 1kHz 高精度 低漂移
电源电压(vs) 提供的usb:5v ,电源电流 正常工作(1khz) :90ma
更新时间:
2025-12-15
MIR QWIP5um 超快中红外探测器 中红外量子阱红外探测器 QWIP
mir qwip是基于的qwip技术而研发的一款超快速中红外探测器。它的响应速度高达数十ghz,是市场上最快的检测器。它是表征qcl频率梳、构建外差仪器、开发中红外高带宽光学通信链路的完quan工具。qwip的技术是卡洛·瑟托里教授在pierre aigrain实验室研发的。我们对包装和设备进行了优化,以适应低温下的超高速运行。
更新时间:
2025-12-15
M-NANO-MINI-Custom 微型纳Nd:YAG毫焦激光头 输出功率1W 中心波长1064nm
平均输出功率 1 w 大脉冲能量 1 ... 20 mj 脉冲持续时间(fwhm) 3...8 ns 波长(中心) 1064nm
更新时间:
2025-12-15
MCF-7-2-150-250 7芯高纯SiO2多芯微结构光纤 纤芯直径2.1±0.3μm 裸纤直径 150±3μm
纤芯数量:7芯 纤芯直径:2.1 ± 0.3 μm 裸纤直径:150 ± 3 μm 涂敷层直径:250 ± 3 μm(丙烯酸酯) 数值孔径:0.48 ± 0.05
更新时间:
2025-12-15
FCA-A0-S65-Q-1-9-SA 基于silica V-Groove 2D 光纤阵列定制 SMF-28E FC/APC连接
光纤数量6*5,共30路,矩形排列,光纤间距1mm,间距误差小于20um,角度误差小于20mrad,单模光纤,,30根光纤用smf-28e,fc/apc连接器
更新时间:
2025-12-15
HC-1500-100-30 可见光近红外中空光纤 内径尺寸1500um 平均功率30W
镀银涂层中空光纤 包层材料:塑料 内径尺寸:1500um 脉冲能量:100mj@532nm,5ns 大平均功率:30w
更新时间:
2025-12-15
MPYH-375×375/660-960-22-AC 单能量匀化矩形纤芯激光传输光纤 芯径375um 包层直径660±5um
数值孔径 0.22±0.02;芯径 375×375±5um;包层直径 660±5um;涂覆直径 960±20um ,580/米
更新时间:
2025-12-15
SI220-200/220-SC单包层泵浦能量传输多模光纤(掺氟玻璃包层 纤芯直径200um 包层直径220um)
筱晓光束传输光纤是阶跃型折射率分布的多模光纤,采用高纯合成二氧化硅玻璃纤芯和掺氟二氧化硅玻璃包层,光纤具有低损耗,高激光损伤阈值,高机械强度等特点。较大的数值孔径大大提高光纤的耦合效率和抗弯能力。产品采用严格的光纤拉丝工艺和高性能光纤涂层,具有良好的可靠性、一致性与稳定性,广泛应用于材料加工、科学研究和医疗等领域,能quan面满足各类客户对激光传输的要求。
更新时间:
2025-12-15
1206R80X200LV二氧化硅非圆芯径矩形匀化光纤 (Optran UV NCC WF RCT NA=0.20/0.48)
optran® uv ncc, optran® wf ncc二氧化硅 非圆 芯径光纤ceramoptec®提供矩形、方形、八角形和其他纤芯/包层几何形状的光纤,与我们的uv/wv系列光纤相比,具有更多优势。
更新时间:
2025-12-15
UHNA1UHNA超高数值孔径单模光纤 NA0.28
coherent/nufern公司uhna超高数值孔径单模光纤是连接高数值孔径光波导和低数值孔径传输光纤的理想桥接光纤,一方面uhna光纤和其他高数值孔径光纤(波导)具有很高的耦合效率,另一方面,uhna光纤的成分组和使得uhna光纤和普通传输光纤熔接时纤芯热扩束,从而保证uhna和低数值孔径传输光纤的低损耗的熔接。
更新时间:
2025-12-15
Optran® UV WFS 200-2000nm 宽带二氧化硅光纤 数值孔径NA=0.12±0.02
波长 optran®uvwfs 200–2000nm 数值孔径 (na):低 0,12 ± 0,02, 标准 0,22 ± 0,02,高 0,28 ± 0,02
更新时间:
2025-12-15
Optran® UV NSSOptran® UV NSS 碳层密封光纤 ,高抗日晒短波紫外 190–1200nm
optran® uv nss是为短波紫外线光谱范围提供的一款新产品,高抗日晒能力和超qiang稳定性使其具有广泛的应用前景。
更新时间:
2025-12-15
镀铝阶跃折射率多模光纤
镀铝阶跃折射率多模光纤ixf-sm 系列包含专为极端温度和 / 或低至中等辐射水平的恶劣环境设计的单模光纤。我们提供多种聚合物和金属涂层 , 非常适合高温应用场景。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围 ,从低温环境到 + 400°c 均可适用 ,且具备氢密封性 ,能在富氢环境中减轻氢致暗化现象。
更新时间:
2025-12-15
ZDF-10/125-30H2.5P-O稀土Ho钬/Pr镨掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤
稀土ho钬/pr镨掺杂 zblan双包层氟化物裸光纤zblan光纤是由zrf4、baf2、laf3、alf3和naf等重金属氟化物组成的复合玻璃光纤。与广泛应用的石英光纤相比,zblan光纤具有传输波长范围宽(0.35μm~4μm)和掺杂稀土离子发射效率高等特点。
更新时间:
2025-12-15
780-HP780-HP 单模光纤 780-970nm 4.4/125um
产品总览780-hp高性能选择截止波长单模光纤是针对近红外光进行优化设计的特种单模光纤,用来满足光纤耦合器制作,半导体激光器尾纤以及近红外连续谱传输等特定的需要等。
更新时间:
2025-12-15
Yb85-30/250-PM 熊猫型保偏掺镱光纤 纤芯吸收85dB/m 截止波长880±80nm
纤芯吸收 85 db/m@915nm ,模场直径30.0 ± 0.5,截止波长:880 ± 80nm 包层直径:250 ± 5.0um,400 ± 15um
更新时间:
2025-12-15
DCF-YB-20/125E-PM掺镱保偏双包层光纤
产品总览这种双包层光纤具有高吸收和低光暗化特性。在各种材料加工应用中显示出优良的特性。这种光纤提供了高双折射,是设计脉冲光纤激光器和放大器的理想选择。
更新时间:
2025-12-15
DCF-EY-10/128P双包层铒镱共掺保偏光纤 (CorActive 10±2um )
产品总览coractive公司生产的dcf-ey-10/128-pm是铒镱纤维共掺的双包层保偏光纤,不仅可以拥有较高的掺杂浓度和高效的能量转移,还可以降低所需的泵功率,由于这种配比的极化性能保持光纤具有高效率和的光束质量,因此非常适合设计用于各种市场的低功耗光纤激光器和放大器,如激光雷达。
更新时间:
2025-12-15
DF1100 单模掺镱纤芯泵浦光纤 工作波长1030-1100nm 数值孔径0.14-0.17
工作波长:1030-1100nm,数值孔径:0.14-0.17,包层直径:125 ±1 μm,涂层直径(245 ± 7um)
更新时间:
2025-12-15
Yb1200-10/125DC-PM 大模场双包层掺镱光纤 纤芯直径10.0±1.0um 损耗≤25dB/km
纤芯直径:10.0 ± 1.0um,包层直径125125 ± 2um,1200 nm时的纤芯背景损耗,≤ 25db/km
更新时间:
2025-12-15
ZFG MM (0.15) 90/150 ZFG多模掺杂光纤 重金属氟化物纤维光纤 0.04μm-4.5μm
数值孔径 0.15~0.20;纤芯/包层直径(μm)90~600 / 150~680;典型损耗(db/km) <10@2.5μm;短期弯曲半径≥15~70mm;长期弯曲半径 ≥45~150mm
更新时间:
2025-12-15
ER80-8/125 高掺杂EDF掺铒光纤 高掺杂铒增益光纤 截止波长1250±150nm
吸收峰值在1530nm的范围72-88db/m;截止波长1250±150nm;纤芯数值孔径 0.13; 模场直径 8.7 - 10.3μm @1550nm;包层直径 123-127μm
更新时间:
2025-12-15
LIEKKI® Yb1200-30/250DC 高掺杂大模场双包层掺镱光纤
liekki® yb1200-30/250 光纤是非常高掺杂的光纤,具有非常高的包层吸收和低光暗化损耗、每应用长度的高效率和非常高的光束质量。这些光纤是高功率脉冲光纤放大器的理想选择,其中短应用长度对于避免非线性效应至关重要。 liekki® yb1200-30/250 光纤可用作双包层 (yb1200-30/250dc) 和双包层保偏 (yb1200-30/250dc-pm) 光纤。
更新时间:
2025-12-15
IFG SM (2.95) 7.5/125重金属氟化物IFG单模掺杂光纤 (截止波长2.95um)
重金属氟化物ifg单模掺杂光纤 (截止波长2.95um)ifg光纤重金属氟化物组成的复合玻璃光纤。与广泛应用的石英光纤相比,ifg光纤具有传输波长范围宽0.3μm~5.5μm具有掺杂稀土离子发射效率高等特点。
更新时间:
2025-12-15
ER40-6/125 1300nm 高掺杂EDF掺铒光纤 吸收峰值37dB/m 模场直径5.4±0.7μm
吸收峰值 37db/m@1532nm,250m光纤长度上的吸收峰值波动 ≤2.5 %,背景损耗 (min.[1100–1300 nm]) ≤ 6 db/km,弯曲敏感度(100 m, 15 mm弯曲半径, λ< 1620 nm) ≤ 0.1 db,截至波长≤ 1300 nm,模场直径1550 nm 5.4 ± 0.7 μm,数值孔径:0.23 ± 0.02,熔接衰减: ≤ 0.2 db
更新时间:
2025-12-15
SM600 630nm单模光纤 SMF
产品总览单模光纤(single mode fiber, smf)是指在确切波长,只支持一个传输横模的光纤(可容许两个简并的偏振态模)。单模光纤通常纤芯在10微米量级,纤芯和包层之间的折射率差很小(<1%)。
更新时间:
2025-12-15
ER50-5-PM 保偏掺铒光纤 截止波长<1300nm 纤芯吸收50.0±3.0dB/m
截止波长 <1300nm,纤芯吸收@1530nm :50.0±3.0 db/m,模场直径@1550nm:5.0±1.0μm,内包层直径 125.0±1.0μm,涂覆层直径 245.0±5.0μm
更新时间:
2025-12-15
ER40-5-PM 保偏掺铒光纤 截止波长<1300nm 涂覆层直径245.0±5.0μm
截止波长 <1300nm,纤芯吸收@1530nm :40.0±3.0 db/m,模场直径@1550nm:5.0±1.0μm,内包层直径 125.0±1.0μm,涂覆层直径 245.0±5.0μm
更新时间:
2025-12-15
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TIS75-112
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SIEMENS/西门子 6EP1336-3BA00
2025/12/19 19:43:10
13000772.7
2025/12/19 19:42:37
GE模块IC693CHS398H
2025/12/19 19:42:36
APD-VH02N
2025/12/19 19:38:14
FC-20P
2025/12/19 19:37:22
AJ65VBTCE2-16T
2025/12/19 19:36:39
MITSUBISHI HA-SF73K1M4K-S1
2025/12/19 19:35:53
MONO-R1E
2025/12/19 19:33:05
IC693CPU374
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DY3A-30
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LS G6F-AD2A
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GE模块P9-CPU
2025/12/19 19:28:10
CTS7 114-1AD20-0X24
2025/12/19 19:27:28
DOP-B05S100
2025/12/19 19:26:45
WS 5-5 281-00
2025/12/19 19:26:10
BERGER LAHR WD3-007.0501
2025/12/19 19:23:24
NRUF/A
2025/12/19 19:22:40
NI 9512
2025/12/19 19:21:55
西门子 6ES5 482-8MA13
2025/12/19 19:21:07
CML40.1-NP-220-NA-NNNN-NW
2025/12/19 19:18:24
PNOZ1 3S/1O
2025/12/19 19:17:40
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