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TWB-200晶片清洗机
本机是一款全自动晶片刷洗机,全程封闭环境采用机械手自动操作,具备刷洗甩干功能,适用于各种半导体衬底材料抛光后的刷洗,可有效减少晶片表面颗粒污染。
更新时间:
2025-06-13
FZ-14区熔晶体生长系统
fz-14 区熔晶体生长系统是为工业生产直径达100毫米(4英寸)的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸,可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中,晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染,同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。
更新时间:
2025-06-13
FZ-14M(G)区熔晶体生长系统
fz-14m(g)区熔晶体生长系统为制备单晶硅晶体样品而设计开发,该系统用于工业多晶硅生产中的材料分析。生产过程中的小型多晶体样品在氩气环境中被感应熔化,并在籽晶上结晶,形成单晶,然后进行光谱分析,以检测和记录所生产的多晶硅质量。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染。
更新时间:
2025-06-13
SR110区熔法硅芯炉
sr110区熔法硅芯炉的工作方式与区熔系统类似。该系统使用一个在高频感应线圈下直径为100毫米的多晶硅棒(源棒)。根据硅棒的长度,在多个拉动工艺中可以产生特定数量的硅芯;然后这些硅芯被用作西门子下游工艺中的原棒。通过隔离阀将接收炉体与工艺炉体分开,可以将完成的硅芯取出,并立即开始下一个工艺。通过引入扩散到熔体中的工艺气体可以对细杆进行掺杂处理。
更新时间:
2025-06-13
SICma System物理气相传输系统
sicma系统为通过物理气相传输系统(pvt)的方式生产碳化硅晶体而开发。在此过程中,粉末状的原材料在高温下被加热和升华,后沉积在特定准备的基片上。这项工艺将通过使用一个感应线圈在千赫兹范围内完成加热。随着全球工业域环保意识的提高,pva tepla也紧跟时代步伐,通过对该感应线圈进行优化设计以实现低能源消耗。
更新时间:
2025-06-13
Kronos垂直梯度凝固法系统
kronos垂直梯度凝固法系统,用以解决基本工艺问题。该系统的高工作压力意味着,即使其组分具有高蒸气压的材料也可以结晶。该系统可在10-40巴的压力范围内用于不同化合物半导体的结晶。这种方法支持晶体的工业化生产,例如砷化镓(gaas)的工业化生产可以通过在大10巴压力的标准版设备实现,而磷化铟(inp)的生产可以在大40巴压力的标准版设备中实现。
更新时间:
2025-06-13
PC8816四通道 40V 160mΩRDS智能高侧开关芯片具有保护及诊断功能
概述pc8816是四通道、高侧功率具有集成nmos功率fet的开关,以及电荷泵。该设备集成了高保护功能,例如负载电流限制,通过功率限制进行过载主动管理带可配置闭锁的超温停机。全面诊断
更新时间:
2024-05-23
JT10单相可控硅触发器带模拟量和示警输出
jt10单相型可控硅触发器产品采用数字显示技术,标配友善的ui 人机操控面板,数字显示,触摸按键。可以显示系统信息,提示故障示警,可本地产品参数配置。 现场检修更换非常方便。
更新时间:
2023-10-24
共9条
共1页
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