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FT838MBD 5V/2A充电器五能效方案FT838MBD
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参观次数:3744193
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详细内容
FT838MBD 5V/2A充电器五能效方案
联系电话:18476656316 曾小姐 QQ 28501857701
点 1、效率,可满足六能效标准;
2、低待机功耗<80mW@264Vac;
3、输出CV/CC精度 <±5%;
4、内置MOS,SOP-8,外围元件 少,系统成本低;
5、保护功能齐全,可靠性好;
6、满足EN55022 ClassB EMI要求;
输入电压范围: 90~264V 输出电压/电: 5V/1A 尺寸: 38*30mm 典型效率: 76% EMI: pass 空载待机功耗: <80mW 大输出纹波: <100mVp-p 基本点 充电器5V/1A FT839NB_5V1A_No Y_CE 1、效率,可满足六能效标准; 2、低待机功耗<80mW@264Vac; 3、输出CV/CC精度 <±5%; 4、内置NPN,外围元件少,系统成 本低; 5、保护功能齐全,可靠性好; 6、满足EN55022 ClassB EMI要求; 充电器5V/1A FT839NB_5V1A_With Y_CE 输入电压范围: 90~264V 输出电压/电: 5V/1.5A 尺寸: 42.8*30mm 典型效率: 78% EMI: pass 空载待机功耗: <80mW 大输出纹波: <150mVp-p 1、效率,可满足六能效标准; 2、低待机功耗<80mW@264Vac; 3、输出CV/CC精度 <±5%; 4、内置NPN,外围元件少,系统成 本低; 5、保护功能齐全,可靠性好; 6、满足EN55022 ClassB EMI要求;
色概述
全电压输入范围(90Vac~264Vac)
效率
Efficiency ≥ 78.65% @115Vac/230Vac
低待机功耗
< 120mW
输出纹波噪音低
<80mV
输出短路保护
输出过保护
的容性负载启机性
在5 能效标准基础上有充足的效率余量
内置功率MOS,DIP-8 封装,IC 温升低;外围元件简洁,成本低。
联系电话:18476656316 曾小姐 QQ 28501857701
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