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更新时间:2026/9/21 9:10:22关注度:1873
关键词标签:光谱测量用探测器,光电探测器,铟镓砷探测器
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■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm
三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计,其中:
◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图1)
◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图2)
◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图3)
| 参 数 | 测试条件 | DInGaAs1600 | 测试条件 | DInGaAs1650 | 测试条件 | DInGaAs1700 | ||||||
| 最小值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
| 光敏面直径(mm) | | 1.5 | | 5 | | 5 | ||||||
| 光谱响应 | | 900-1600 | | 800-1650 | | 800-1700 | ||||||
| 范围(nm) | ||||||||||||
| 响应度Re(A/W) | | | | | | | | | @850nm | 0.1 | 0.2 | |
| VR=0V @1300nm | 0.8 | 0.85 | - | VR=10mV @1310nm | - | 0.75 | - | @1300nm | 0.8 | 0.9 | | |
| VR=0V | 0.85 | 0.9 | - | VR=10mV @1550nm | - | 0.8 | - | 峰值@1550nm | | 0.95 | | |
| @1550nm | ||||||||||||
| 暗电流Io(nA) | VR=0V | | 0.1 | 1 | | | 10 | | VR=0V | | 5 | 10 |
| NEP (pW Hz-1/2) | | | | | | | | | @1550nm | 0.28 | | |
| 信号输出 模式 | | 电流 | | 电流 | | 电流 | ||||||
| 输出信号 极性 | | 正(P) | | 正(P) | | 正(P) | ||||||

| 型号/参数 | DInGaAs1700-TE | DInGaAs1900-TE | DInGaAs2200-TE | DInGaAs2400-TE | DInGaAs2600-TE |
| 光敏面直径(mm) | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 波长范围(nm) | 800-1700 | 800-1900 | 800-2200 | 800-2400 | 800-2600 |
| 峰值响应度(A/W) | 0.9 | 1 | 1.1 | 1.15 | 1.2 |
| D*(典型值) | 8.4×1013 | 9.1×1012 | 1.9×1012 | 9.6×1011 | 4.9×1011 |
| NEP(典型值) | 3.2×10-15 | 2.9×10-14 | 1.4×10-13 | 2.8×10-13 | 5.5×10-13 |
| 温控器型号 | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC |
| 探测器温度(℃) | -40 | -40 | -40 | -40 | -40 |
| 温度稳定度(℃) | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 |
| 环境温度(℃) | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 |
| 信号输出模式 | 电流 | 电流 | 电流 | 电流 | 电流 |
| 输出信号极性 | 正(P) | 正(P) | 正(P) | 正(P) | 正(P) |
| 备注 | 制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC) 推荐使用前置放大器型号:ZPA⁻⁷ | ||||