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高温四探针测试仪

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品牌名称：北京华测型号：HGTZ-800 型原产地：中国大陆更新时间：2026/9/21 9:16:36

产品摘要：高温四探针测试仪
H-800高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。

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详细内容

高温四探针测试仪

高温四探针测量系统主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，该系统采用直排四探针测量原理和单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准设计研发，可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻和电阻率。该系统广泛应用于高校科研院所和企业单位半导体薄膜和薄片材料电学性能研究。

产品简介

H-800高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大适用范围大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。

H-800系列采用自主开发先进的电子护系统，设备的安全性；选用进口热电偶保定温度的采集有效值、采用先进的的SPWM 电子升压技术，电压输出稳定性好。配备电压、电流传感器以保证试验数据的有效性。

H-800系統搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电流、温度、时间等设置，符合导体、半导体材料与其它新材料测试多样化的需求。的输出与测量规格，保障检测结果的品质，适用于新材料数据的检测。例如：多晶硅材料、石墨烯材料、导电功能薄膜材料、半导体材料，也可做为科研院所新材料的耐电弧性材料的性能测试。针探针测试仪做了多项安全设计，测试过程中有过电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制：当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数所新开启动后可恢复原有试验数据。


测量温度：RT-600℃/1000℃	测量组合：四探针双电测组合测量	供电：220V±10%，50Hz
升温斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)	样品尺寸：φ15~30mm，d＜4mm薄片或薄膜	工作温度：5℃ 至 + 40 ℃；
控温精度：±0.5℃	电材料：碳化钨针	存储温度：–40 ℃ 至 +65 ℃
电阻测量范围：0.1mΩ~100MΩ	针尖绝缘电阻：≥1000MΩ	工作湿度：+40 ℃ 时，相对湿度达 95%（无冷凝）
电阻率测量范围：1mΩ.cm~100MΩ.cm	绝缘材料：99氧化铝陶瓷	设备尺寸：630x640x450mm
电导率测量范围：0.00001s/cm~100000s/cm	数据存储格式：TXT文本格式	重量：38kg
测量精度：0.01%	数据传输：USB	保修期：1年
测量环境：惰性气氛、还原气氛、真空气氛	符合标准：ASTM F84、GB/T 1551-2009、GB/T 1551-1995