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当前位置:阿仪网>北京华测试验仪器有限公司>技术文章>Huace-1200G 真空晶圆退火炉在离子注入硅晶圆杂质激活退火工艺中的应用

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Huace-1200G 真空晶圆退火炉在离子注入硅晶圆杂质激活退火工艺中的应用

点击次数:75 发布时间:2026/10/9 10:49:23

Huace-1200G真空晶圆退火炉在离子注入硅晶圆杂质激活退火工艺中的应用

硅晶圆离子注入之后,晶格会产生大量损伤,注入杂质处于非激活状态,需要快速高温退火修复晶格、激活掺杂离子。传统管式退火炉升温慢,晶圆长时间处于高温区间,容易造成杂质扩散漂移,影响PN结特性。Huace-1200G真空晶圆退火炉采用红外镀金聚焦加热,实现高速升降温,控制热预算,完成离子注入晶圆激活退火。

一、传统管式炉退火痛点

升温速率慢,晶圆热预算大,注入杂质发生横向纵向扩散,造成PN结偏移,器件漏电升高。

整片晶圆温场不均匀,晶圆中间、边缘激活程度不一致,方块电阻离散,器件良率下降。

真空保护不足,高温下硅晶圆表面氧化,生成多余氧化层,增加后道刻蚀负担。

降温速度慢,晶格弱点无法快速冻结,退火结束后残余弱点密度偏高。

二、离子注入晶圆激活退火方案

Huace-1200G采用抛物面镀金红外反射加热,可编程高速升温,SiC载盘25℃/s升温速率;石英管保护腔体,可实现真空或高纯惰性气氛,减小晶圆表面氧化。整片6英寸晶圆温场均匀度,PID准确控温,温度重复性±1℃;可搭配水冷+气体降温实现快速降温,短时间完成杂质激活,同时减小杂质过度扩散,修复离子注入带来的晶格损伤。

三、研发工艺价值

半导体研发阶段优化离子注入后快速退火工艺;减少掺杂杂质扩散,保证PN结边界;降低整片晶圆方块电阻离散度;对比不同退火温度、升降温速率对杂质激活率的影响,为半导体工艺开发提供试验支撑。


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