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氢氧化镁阻燃剂研磨机,无机阻燃剂分散式研磨机,氢氧化镁湿法超微粉碎机
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详细内容

近年来,高分子合成材料迅速发展及广泛应用给人们在生产及生活中带来了多种 便利。然而,大部分合成高分子材料均具有可燃性及易燃性,故而它们在使用在存在严重的 火灾危害。据统计,我国2015年火灾共为33.8万起,直接经济损失达到39.5亿元人民币,对 高分子材料的阻燃剂已经越来越受到各国政府及人民的关注及重视。 阻燃剂按照元素分可分为含卤及无卤阻燃剂,其中卤素型阻燃剂具有添加量少,阻燃剂效率高,对材料性能影响小等多种优势,但多数卤素阻燃剂热分解过程中释放致癌 或有毒有害物质,对人类及环境产生恶劣影响。欧洲及美国等发达地区已经出台相应的标准及法规以禁止卤素阻燃剂在特定域中使用。无卤阻燃剂被认为是环保型阻燃剂,阻燃元素包括磷、硅、硼、硫、镁、铝等。
氢氧化镁是镁基无机阻燃剂的代表,安全无毒,物理化学 性质稳定,不仅具有良好的阻燃及抑烟性能,而且价格相对较低,可作为填充降低成本,矿 粉法的氢氧化镁已经大量的用于高分子材料的阻燃剂域。
氢氧化镁阻燃聚烯烃主要待解决3个主要问题:
第1,粉体粒径及粒径分布;
第2,粉 体的表面性能及其与高分子材料的相容性及分散性;
第3,粉体的流动性。
湿法研磨可以解决上述问题,湿法研磨得到的粉体粒径小,分布均一,且为球状颗粒,这将从根本上改善粒径大小、粒径分布及粉体流动性的问题。此外,由于结构决定性能,通过以氢氧化镁为核,在其表面包覆低表面能的物质可以有效的改善其与高分子材料的相容性,这同样是解决相容性和分散性的核心方法。
CMSD2000系列改进型研磨式分散机是由胶体磨和分散机组合而成的高科技产品,先锥形研磨头具有精细度递升的多锯齿凸起和凹槽。定转子间隙可以根据需要无限制调整间隙。第二机由转定子组成。分散头的设计也很好的满足不同粘度物质以及颗粒粒径的需求。整机采用佳的几何机构的研磨定转子,好的表面处理和优质材料,可以满足不同行业的多种需求。通过研磨分散机定转齿之间的间隙(间隙可调)时受到强大的剪切力、摩擦力、高频振动等物理作用,使物料被有效的乳化、分散和粉碎,达到物料超细粉碎及乳化的效果,出料粒径可以微纳米。
通过IKN湿法粉碎从根本上解决了氢氧化镁粒径大小及粒度分布的问题,明显地改善 了产品的流动性。在超细氢氧化镁表面包覆低表面能的对苯二甲酸镁,以实现材料相容性的改善。利用湿法研磨和反应包覆两种工艺的耦合,利用湿法研磨的摩擦热而使得沉 淀反应发生,避免了额外输入热量,对节能减排具有积的促进作用。
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影响研磨分散结果的因素有以下几点
1 研磨头的形式(批次式和连续式)(连续式比批次好)
2 研磨头的剪切速率 (越大,效果越好)
3 研磨头的齿形结构(分为初齿,中齿,细齿,超细齿,约细齿效果越好)
4 物料在分散墙体的停留时间,乳化分散时间(可以看作同等的电机,流量越小,效果越好)
5 循环次数(越多,效果越好,到设备的期限,就不能再好)
线速度的计算
剪切速率的定义是两表面之间液体层的相对速率。
– 剪切速率 (s-1) = v 速率 (m/s)/ g 定-转子 间距 (m)
由上可知,剪切速率取决于以下因素:
– 转子的线速率
– 在这种请况下两表面间的距离为转子-定子 间距。
IKN 定-转子的间距范围为 0.2 ~ 0.4 mm
速率V= 3.14 X D(转子直径)X 转速 RPM / 60
CMSD2000系列研磨分散机选型表
| 型号 | 流量 L/H | 转速 rpm | 线速度 m/s | 功率 kw | 入/出口连接 DN | ||
| CMSD 2000/4 | 300 | 14000 | 41 | 4 | DN25/DN15 | ||
| CMSD 2000/5 | 1000 | 10500 | 41 | 11 | DN40/DN32 | ||
| CMSD 2000/10 | 4000 | 7200 | 41 | 22 | DN80/DN65 | ||
| CMSD 2000/20 | 10000 | 4900 | 41 | 45 | DN80/DN65 | ||
| CMSD 2000/30 | 20000 | 2850 | 41 | 90 | DN150/DN125 | ||
| CMSD 2000/50 | 60000 | 1100 | 41 | 160 | DN200/DN150 |
表中上限处理量是指介质为“水”的测定数据。
流量取决于设置的间隙和被处理物料的特性,可以被调节到大允许量的10%
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