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SOI

SOI

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更新日期:2026/9/8 3:31:35

生 产 地:中国大陆

产品型号:

简单介绍:SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为´SOI´ 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。

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详细内容

我们提供100mm, 125mm, 150mm以及200mm圆片及其外延片。产品系列包括Simbond,键合圆片,高剂量和低剂量SIMOX圆片,并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度。此外,我们还向用户提供顶层硅小于50nm的超薄SIMOX系列和用于RF系统集成用的高阻SIMOX圆片。
顶层硅的厚度可根据应用的不同而变化。借助精密仪器,键合技术以及外延设备,我们生产的顶层硅最薄可达20纳米,最厚可至几十微米或更多。一个更厚的顶层硅对光通讯及MEMS器件尤其重要。
SOI圆片主要有以下特点:
1. 提高运行速度
在特定的电压下,建在新傲SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%,这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。
2. 降低能量损耗
SOI材料能降低近30%⁻⁷0%的能量消耗,特别适用于对能量消耗比较高的领域。
3. 改进运行性能
SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温,对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。
4. 减小封装尺寸
SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。

SOI 高速特性

微处理器,高速通信,三维图象处理,先进多媒体

SOI 低压低功耗特点

移动计算机,移动电话,便携式电子设备,射频集成,灵巧功率器件以及其它要求功耗低、散热快的领域,如单芯片系统SOC,微小卫星等

SOI 应用于恶劣环境

高温器件,高压器件,卫星或其它空间应用,武器控制系统等

SOI 光通信和MEMS应用

作为一种结构材料,可制作硅基集成光电器件,应用于高速宽带互联网和其它光网络的接口。此外,SOI圆片还广泛应用于制作微机电系统(MEMS)器件,如传感器等

SOI

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