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Si单光子探测器

Si单光子探测器

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价格:¥电议

更新日期:2025/10/22 14:13:57

生 产 地:中国大陆

产品型号:

简单介绍:屹持光子单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm,可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi特有的高性能主动抑制电路,可以实现连续的单光子探测,并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制,从而将Si APD的性能发挥到最佳状态。

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相关标签:硅APD探测模块,,SPDSi,单光子探测器

详细内容

硅APD探测模块 SPDSi

屹持光子单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm,可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi特有的高性能主动抑制电路,可以实现连续的单光子探测,并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制,从而将Si APD的性能发挥到状态。在700 nm波段的探测效率超过60%,暗计数200-2000 cps,死时间小于50 ns。

SPDSi标准型号的有效光敏探测面积最高可达500 um,单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号,并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成。

APD通过模块内部制冷工作在-20 ℃的低温环境下,以获得的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。

技术特点:

高探测效率:65%@700 nm; 500 um光敏面积;

TTL数字信号输出; 低暗计数;

低后脉冲; 低时间抖动;

应用领域:

荧光测量; 激光测距;

量子通信; 光谱测量;

光子关联; 自适应光学;

Fig1. 量子效率 Fig2. Si单光子探测器

Fig3. Si单光子探测器结构图

产品参数:

参数规格 参数

值

单位

供电电压*1

22 -28

V

供电电流

0.5

A

光谱响应范围

200 ----1060

nm

探测效率

@200 nm

@700 nm

@850 nm

@1060 nm


2

65

45

3

%

暗计数

200 -2000

cps

死时间

50

ns

后脉冲

3 - 8

%

时间抖动

300 - 500

ps

饱和计数率*2

10

Mcps

光敏面积

500

um

APD制冷温度

-20

℃

工作温度

-15 - +50

℃

输出信号电平

LVTTL


输出信号脉宽

530

ns

门脉冲输入电平

Disable=LVTTL low

Enable=LVTTL high


0-0.4

2 -3.3

V

产品说明:

1. 不正确的电压可能损坏模块,应保证接入电源不高于28V,并可提供足够电流。

2. APD属于高灵敏光电探测器件,在雪崩状态下应控制输入光信号强度,过高的光强可能损坏APD,这种损害可能降低APD的探测灵敏度,严重时甚至会造成二极管击穿。

3. 在特殊的应用场景下,应保证模块的工作温度不超过50 ℃,过高的温度可能导致APD工作温度上升,从而引起暗计数水平升高。

4. SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的最大计数率,当死时间设定在50ns时,最大计数率为10Mcps,如您的应用对死时间设定有特别要求,请在订购时与我们联系。

5. 同样,输出信号的脉宽也会影响最大计数率,典型脉宽为30 ns,如您的应用对输出信号有特别要求,请在订购时与我们联系。

6. SPDSi支持空间和光纤接口接入。

单光子探测器选型:


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