供应 鹏城半导体 热丝法化学气相沉积CVD金刚石 单面 双面镀膜

热丝法化学气相沉积CVD金刚石（热丝CVD金刚石设备）

鹏城半导体研发设计制造了热丝CVD金刚石设备，分为实验型设备和生产型设备两类。

设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜的研发和生产。可用于力学、热学、光学、声学的金刚石产品的研发生产。

可以制造大尺寸金刚石多晶晶圆片，用于大功率器件、高频器件及大功率激光器的散热热沉。

可用于生产制造防腐耐磨硬质涂层；环保域污水处理用的金刚石产品。

可用于平面工件的金刚石薄膜制备，也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。

可用于太阳能薄膜电池的研发与生产。

工件尺寸

圆形平面工件的尺寸：zui*daø550mm。

矩形工件尺寸的宽度≤550mm

矩形工件尺寸的长度可根据镀膜室的长度确定（如：工件长度1200mm）。

配置水冷样品台。

可单面镀膜也可双面镀膜。

热丝电源功率

可达300KW，1KW ～300KW可调（可根据用户工艺需求配置功率范围）

设备安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护

-设置水压检测与报警保护装置

-设置水流检测报警装置

设备构成

真空室构成

双层水冷结构，立式圆形、立式D形、立式矩形、卧式矩形，前后开门。

真空尺寸：根据工件尺寸和数量确定。

热丝

热丝材料：钽丝、或钨丝

热丝温度：1800℃～ 2500℃ 可调
热丝不塌腰（解决了热丝长时间加热塌腰的问题）

样品台

可水冷、可加偏压、可旋转、可升降 ，由调速电机控制，可实现自动升降，（热丝与衬底间距在5 ～ 100mm范围内可调），要求升降平稳,上下波动不大于0.1mm。

工作气路（CVD）

工作气路根据用户工艺要求配置：

下面气体配置是某一用户的配置案例。

H2(5000sccm，浓度100*%)

CH4(200sccm，浓度100*%)

B2H6（50sccm，H2浓度99%）

Ar(1000sccm，浓度100*%)

真空获得及测量系统

控制系统及软件

生产型热丝CVD金刚石设备

关于我们

鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。

公司核心业务是微纳技术与gao/duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。

公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jing的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。

公司团队技术储备及创新能力

2024~2026

-与jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客户合作取得突破（X *guang*gan*板及光电器件的薄膜生长）

-鹏城微纳技术（沈阳）有限公司子公司扩产

-TGV/TSV/TMV

-wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层

-gao*xin*ji*shu企业

2023

-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；

-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；

-创新型中小企业；

-获50+项知识产权专利；

-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三体系认证；

-子公司晶源半导体成立

2022

-子公司鹏城微纳成立；

-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货

-获得ISO9001质量管理体系证书

2021

-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立

2019

-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备

2017

-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计

-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备

2015

-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜

2007

-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长

-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）

2005

-设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料

1998~2002

-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN

-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机

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