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尺寸33nm-A1纳米晶体,BN纳米晶体,纳米氮化硼晶体-瑞禧
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更新日期:2026/9/7 17:22:30
生 产 地:中国大陆
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详细内容
文献资料:
以纯A1粉末为原料,采用高能球磨的方法制备纯A1纳米晶体材料。改变球磨时间及球料比,研究不同的球磨工艺对制备纯A1纳米晶体材料的影响,并将过程控制剂引入到制备过程中,探讨过程控制剂对纯A1纳米晶体材料的制备及性能方面的影响。
研究结果表明:通过控制适当的球磨参数,可以制备得到高性能的纯A1纳米晶体材料。在球磨过程中,随着球磨时间的增加,样品的晶粒尺寸先减小后再增大再减小,球料比为10:1球磨时间分别为3h、5h、8h、14h的样品其晶粒尺寸分别为59nm、49nm、55nm、47nm;样品的硬度随球磨时间的延长先升高后再降低再升高,随后随着时间的继续延长将保持稳定值,所制备得到的纯A1纳米晶体材料硬度均高于退火态纯A1,球磨5h时达到zui高硬度430MPa,是退火态纯A1硬度的2.5倍;通过添加适当的过程控制剂,可以实现zui高硬度达到退火态纯A1的5倍,且样品的晶粒尺寸减小为33nm;球磨样品经过75℃退火后,发生再结晶并伴随晶粒长大,硬度降低到未退火状态样品的33%~48%。球料比越大,球磨效率越高,在球磨过程中越容易达到稳定态,对样品硬度变化的影响较平缓,所得组织随着球料比的增大越致密,颗粒均匀性越明显。
尺寸33nm-A1纳米晶体,BN纳米晶体,纳米氮化硼晶体-瑞禧
晶体大小:可定制
晶体种类:Magnetic semiconductor,红外半导体,拓扑材料,热电材料
表征方法:EDS,SEM,Raman
规格:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
包装:超净袋真空包装
传导类型:N型;半绝缘型
晶体生长方式: CVT化学气相传输法
抛向:单抛或双抛
可用表面积:≥ 100%
用途:科研
品牌:西安瑞禧生物科技有限公司
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西安瑞禧生物产品仅用于科研,不可用于人体,RL2023.10



