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非制冷型光电探测器(0.4-2.1μm)

非制冷型光电探测器(0.4-2.1μm)

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价格:¥电议

更新日期:2026/9/9 17:02:21

生 产 地:中国大陆

产品型号:HPPD系列

简单介绍:非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器,兼容Si(硅)、InGaAs(铟镓砷)、HgCdTe(碲镉汞,MCT)、铟砷锑等半导体光电二极管,对0.4~12μm的光谱波段光波敏感。

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相关标签:光电探测器,碲镉汞,激光探测器

详细内容

产品优势

非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器,兼容Si(硅)、InGaAs(铟镓砷)、HgCdTe(碲镉汞,MCT)、铟砷锑等半导体光电二极管,对0.4~12um的光谱波段光波敏感。

该探测器是直流耦合输出,含低噪声、宽带宽的前置运放,探测器外壳采用全铝合金材料,即可起到屏蔽环境电磁干扰,也具备良好的散热性能。


技术参数

探测器材料

Si(硅)、InGaAs(铟镓砷)、HgCdTe(碲镉汞,MCT)

响应波长

0.4 - 12µm

光敏面积

Ttp.1mm2/ Φ1mm

信号带宽

DC - 5MHz(Typ.100kHz)

输出电压

±10V(Hi-Z 负载);±5V(500Ω;负载)

跨阻增益

15000V/A(Hi-Z 负载);7500V/A(500Ω;负载)

信号输出

SMA

尺寸

54*51*23 mm3

重量

<100 g

工作温度

10℃ 至 40℃

存储温度

-25℃ 至 70℃

供电电源

±12V(电源适配器)


参数规格

结构尺寸(单位:mm)

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光电探测器,碲镉汞,激光探测器

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