EVG^®810 LT LowTemp™ Plasma Activation System

EVG®810LT LowTemp™等离子激活系统

适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统

技术数据

EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独立单元。 处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激活并结合在等离子体激活室外部）。

特征

表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）

晶圆键合机制中最快的动力学

无需湿工艺

低温退火（最高400°C）下的最高粘结强度

适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板粘接

高度的材料兼容性（包括CMOS）

EVG810 LT技术数据

晶圆直径（基板尺寸）：50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）

通用质量流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）

真空系统：9x10-2 mbar

腔室的打开/关闭：自动化

腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）

可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3 mbar基本压力

符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/ Si（热氧化）

TEOS / TEOS（热氧化）

绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge

硅/氮化硅

玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半导体：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，环烯烃聚合物

用户可以使用上述和其他材料的“最佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）

EVG^®850 LT

Automated Production Bonding System for SOI ａnd Direct Wafer Bonding

EVG®850LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统

自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用

晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，融合了熔合的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。

特征

利用EVG的LowTemp™等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种融合/分子晶圆键合应用 ；生产系统可在高通量，高产量环境中运行

盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）； 无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁； ； 机械平整或缺口对齐的预粘合

先进的远程诊断技术数据

晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预粘接室

对齐类型：平面到平面或凹口到凹口

对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°

结合力：最高5 N

键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活

真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）

LowTemp™等离子激活模块

2种标准工艺气体：N2和O2，以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和合成气（N2，Ar和H4含量最高）

通用质量流量控制器：最多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速最高可达到20.000 sccm

真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹

配单元：清洁站；清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）； 腔室：由PP或PFA制成

清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（最大）。 2％浓度（可选）

旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成；

旋转：最高3000 rpm（5 s）

清洁臂：最多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）

可选功能：ISO 3迷你环境（根据ISO 14644）； LowTemp™等离子活化室

红外检查站