离子注入设备 SiC用高温离子注入

离子注入设备

SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC

搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。

产品特性 / Product characteristics

•可实现自动连续高温处理注入

•1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV

（Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）

•通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；

（A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）

•可减轻操作员的负担

• 紧凑式设计

•可大范围对应从试作到量产的各类需求

产品应用 / Product application

• 对应SiC的离子注入装置。

研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500

中电流离子注入装置IMX-3500为大能量200keV、对应大晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。

产品特性 / Product characteristics

• 大晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。

•离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。

•HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。

产品应用 / Product application

• 教育、研究开发等

高能对应离子注入设备SOPHI-400

大可对应至2400KeV的高能离子注入装置。

产品特性 / Product characteristics

•枚叶式

•可对应薄片Wafer

•平行Beam

产品应用 / Product application

• 功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺

可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30

低加速、高浓度对应的离子注入设备。

产品特性 / Product characteristics

•枚叶式

•可对应薄片

•非质量分离机的对比优点

1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备

2)相比过去约一半的低价

3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计

产品应用 / Product application

•Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺

产品参数 / Product parameters

•基板尺寸：Max200mm